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SnO2是一种天然的宽禁带n型半导体,具有高载流子迁移率（250 cm2/V·s）、在可见光范围内透光率高、室温下激子结合能高达130 meV等优点。因此,该类薄膜在透明导电薄膜、气敏探测器和光电器件等领域都有着广泛的应用。由于SnO2的缺陷态是其各项性能的主要影响因素,对其光学性能的表征又可以揭示其缺陷态的性质,因此,该项研究引起了广泛的关注;另外,纳米结构的SnO2薄膜将对其光学性能也会产生重要影响。所以,本论文对SnO2薄膜开展以下研究:首先,利用磁控溅射和扫描电镜（SEM）等设备,研究了反应磁控溅射（RMS）的制备工艺参数对SnO2薄膜沉积速率、微观结构的影响;其次,利用管式气氛保护加热炉、紫外-可见光谱仪和光致发光等设备,研究了退火工艺对SnO2薄膜的光吸收、光致发光（PL）等性能的影响,简要分析了PL发光的机理;最后,利用快速热处理（RTP）设备和SEM,将RMS制备得到的SnO2薄膜进行惰性气体下的RTP处理,制备一种特殊微观形貌的SnO2薄膜,并分析和验证这种薄膜的形成机理。研究结果表明:（1）随着RMS制备参数中溅射气压、氧分压的增加和衬底温度的升高,SnO2薄膜沉积速率相应减小;在较高的衬底温度得到的SnO2晶粒较大,表面更为粗糙;原生SnO2薄膜在O2气氛下退火可以改善其结晶度,原生柱状结构转变成致密的薄膜结构;（2）SnO2薄膜在经过退火之后,其光学禁带宽度达到3.85 eV,其PL强度显著增强;位于约610 nm的PL发光峰主要是源于SnO2薄膜表面纳米晶体表面悬挂键的未饱和电子态;（3）原生SnO2薄膜在经过Ar气保护的高温RTP处理之后,得到了一种多孔SnO2薄膜;经实验结果验证,该类薄膜的形成条件包括:（a）原生SnO2薄膜的结晶不完整;（b）在Ar气保护下进行RTP处理;（c）SnO2薄膜具有竖直柱状微观结构;（d）RTP保温温度要高于1000℃,且升温速率大于100℃/s。而且,原生SnO2薄膜的膜厚与多孔SnO2薄膜孔洞直径成正比关系,所以可以通过调整SnO2薄膜的方法来实现对多孔SnO2薄膜的孔洞直径的控制。