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氧化镓作为宽直接带隙(禁带宽度~5 eV)的半导体材料,由于其优秀的物理化学稳定性和优异的光电学特性,使其在高性能器件等应用领域具有广阔前景。本文利用射频磁控溅射方法制备了Ga_2O_3薄膜,后续通过高温退火固相结晶的方法实现β-Ga_2O_3薄膜的结晶。研究了制备工艺参数和后热退火处理对Ga_2O_3薄膜性质的影响,从而提高薄膜质量,并在Ga_2O_3薄膜基础上制备了叉指电极,形成MSM型紫外光电探测器,分析探测器性能。本文的主要研究工作如下:(1)采用氧化镓靶材通过RF磁控溅射方法在蓝宝石(00