本文采用磁控溅射方法制备了适用于垂直磁记录的FePtAg、FePt/B4C介质,利用Ag底层诱导薄膜取向生长,首次利用(001)择优FePt薄膜及B4C复合形成新型介质,具有良好的应用前景。并利用振动样品磁强计、多参数物理测试系统、X射线衍射仪、透射电子显微镜、卢瑟福背散射等分析手段,研究了样品Ag底层厚度、FePt单元层厚度、Fe的含量对样品生长模式、结构与磁性能的影响。 实验结果表明,FePt合金不掺杂而Fe含量较少时,薄膜主要形成的是居里温度较低的FePt3,随着薄膜中Fe的含量增大,薄膜主要生成L10结构的FePt合金相,当Fe与Pt的沉积时间比为27s：14s时,薄膜的水平方向矫顽力为7.2kOe,此时薄膜中的Fe与Pt的原子比率为50.9:40.1,薄膜没有表现出明显的(001)择优与垂直磁晶各向异性。当引入Ag的底层后,L10相FePt的生长模式由随机取向变为(001)择优生长,随着薄膜中银底层厚度的增大,薄膜的有序度在Ag底层厚度约为8nm时达到最大值,颗粒尺寸在Ag底层厚度为16nm时达到最小值。薄膜的取向较好,I(001)/I(111)值最大为3.8,垂直与水平方向矫顽力比值随着Ag底层厚度的增大而增大,薄膜的最大矫顽力为5.6kOe。另外,随着薄膜中Fe含量的增大,薄膜的有序度明显增强,薄膜的择优情况也被改善,富铁薄膜的I(001)/I(111)达到10.14,与之相应的薄膜的磁晶各向异性也有所提高,水平方向矫顽力受到抑制而垂直方向矫顽力得到提高。作者首次提出了在B4C基上使用磁控溅射结合真空退火方法成功得到了(001)择优生长的FePtB4C介质薄膜,薄膜的有序度较高,薄膜的最大矫顽力高达12.6 kOe,拥有热辅助垂直磁记录介质应用的潜力。结果表明随着单元层厚度的减小,薄膜的生长模式有随机生长转变为(001)择优生长模式,薄膜的矫顽力也随之降低。沉积的单层Fe与Pt较薄时,薄膜的取向度明显提高,积分强度比最高达54.7,而摇摆曲线半高宽最小为1.207°。