非制冷红外焦平面探测器在军用和民用领域得到了广泛应用，而具有自主知识产权的小尺寸、长寿命和高性能的非制冷红外焦平面探测器，是我国高科技领域的迫切需求。其中，深入探索和研究具有优异电学性能的低噪声红外敏感薄膜，意义重大。氢化硅锗合金薄膜因具有更高的光吸收效率（锗的吸收系数比硅高出1～2个数量级）、更低的电阻率和更佳的电学性能，而在红外成像传感器领域有着良好的应用前景而备受关注。此外，采用等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD）制备氢化硅锗合金薄膜，工艺成熟稳定，与硅半导体工艺的兼容性良好，便于工业应用。　　薄膜噪声测试目前仍存在有很多不确定性因素，本文简要阐述了薄膜噪声产生的机理和物理模型，以便确定薄膜噪声的测试方案。为了能够系统地评价薄膜的噪声水平，自行搭建了一个薄膜噪声测试平台，以确保噪声测试结果的可靠性，并建立了统一的评价手段。　　利用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）系统裂解硅烷和锗烷，并辅助以氩气稀释，制备氢化硅锗（Si1-xGex:H）合金薄膜。借助原子力显微（AFM）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）和傅里叶变换红外光谱（FTIR），分析和研究不同氩稀释比例下薄膜样品的结构演变和晶化状况。研究发现，在Si1-xGex:H合金薄膜的晶化生长过程中，氩的引入及其对硅烷和锗烷的稀释发挥了重要的作用。当氩稀释比例（氩气与硅烷/锗烷混合气比例）相对较低约为4时，在非晶网络中开始出现纳米晶粒。随着氩稀释比例的增加，薄膜表面粗糙度、薄膜内纳米晶粒尺寸、晶化体积比和氢含量均有不同程度的增加。同时发现，随着氩稀释比例的提高，薄膜的电导率和电阻温度系数TCR均有微弱的提高。值得关注的是，由于氩稀释在非晶网络中引入了纳米晶化，薄膜的有序度得到提高，极大地改善了薄膜低噪声水平。　　为了进一步提高薄膜的电学性能水平，本文还研究了硼掺杂对氢化微晶硅锗薄膜的影响。测试结果表明，当硼掺杂比例为1％时，薄膜在室温下有较高的电导率（≥10-2S/m）和较高的TCR（≥3%/K），薄膜噪声处于较低的水平。