高效节能需求的提升及电力电子技术的发展都对功率半导体二极管的性能提出更高的要求。碳化硅(SiC)MPS二极管结合了 PiN二极管与肖特基(SBD)二极管的优点,能够承受高反偏电压,低压导通、具有良好的反向恢复特性。本文将对SiC MPS二极管展开研究。首先分析了 SBD二极管、PiN二极管及MPS二极管的结构与工作原理。传统的MPS电阻模型仅适用于单极模式,本文改进了现有的MPS单极电阻模型,加入了温度对导通角及载流子迁移率的影响。建立了大注入状态漂移区的载流子的分布模型,并应用于双极模型电阻模型的求解。对比模型结果与测试结果验证了电阻模型的准确性,并通过模型结果分析了 MPS二极管电阻的特性及组成部分。基于电阻模型完成了 MPS二极管正向Ⅰ-Ⅴ特性模型的建立,通过该模型可得到MPS二极管的典型正向特性曲线与浪涌电流的特性曲线,并对模型结果进行了验证。现有的MPS二极管的反向特性模型是基于结势垒肖特基二极管的结构建立的,这两种二极管的结构并不完全相同,模型不能完全适用。传统的反向特性模型未考虑到横向电场对表面势的影响。本文通过二维泊松方程分析了 MPS二极管内部的二维电场的分布,建立了表面电场模型,并将该模型应用于MPS二极管反向特性模型的求解。反向特性模型的有效性得到测试结果的验证。最后分析了MPS二极管的反向漏电流的温度依赖特性、电压特性、及其主要成分热电子发射电流与隧穿电流的特性。