本文首先介绍了半导体功率器件的发展概况，对各种半导体功率器件的电性能与静电感应器件进行了比较。介绍了SITH的基本结构形式和特点，对SITH的I—V特性和基本作用机理进行了分析和讨论。SITH的基本结构是在p+n-n+二极管的n-区设置了一个控制阴极电子注入的p+栅极。当栅极加反向偏压时，两栅区之间的沟道被耗尽层夹断，在阴极和阳极之间建立起控制电流的势垒。 　　本论文工作对SITH的制造工艺及关键技术进行了大量的实验研究，设计出了切实可行，符合工艺条件的工艺流程。在保证I—V特性正确的前提下，使SITH的栅阴击穿电压从原来的7～8V提高到38V。研究了深槽与台面刻蚀对SITH电性能的影响，及腐蚀工艺中的掩蔽保护技术，得到了抗蚀性很强的掩蔽层。深槽刻蚀切断了各种寄生电流成分对对器件I—V特性的影响，改善了器件电性能。论文工作还对控制外延层方块电阻及导电类型的染磷工艺进行了实验研究，比较了扩散染磷与外延染磷的区别，认为外延染磷虽然工艺复杂一些，但效果比扩散染磷更好。