本文对三氧化钨(WO<,3>)纳米线薄膜开展了电致、气致变色特性的研究。在电致变色方面，研究表明，WO<,3>纳米线薄膜具有比传统WO<,3>薄膜更加优异的变色性能，主要表现在具有较快的变色响应速度和较高的变色对比度。在此基础上，分别采用自组装生长法和分散一沉积法实现了WO<,3>纳米线薄膜的定域制备和电致变色定域显示。本论文还研究了纳米线薄膜电致变色的机理，发现纳米线的变色是Li<+>离子和电子的双注入导致的；通过研究纳米线薄膜变色前后的吸收谱，发现薄膜的变色起源于对可见光和近红外波段吸收的调制，在此基础上，通过理论计算较好地拟合了近红外波段的实验吸收谱。 在气致变色方面，研究表明，WO<,3>纳米线薄膜同样具有比较优异的变色性能，主要表现在具有较快的变色响应和较高的变色对比度。另外，本论文结合X射线衍射谱(XRD)、显微拉曼光谱、紫外一可见一红外吸收光谱、X射线光电子能谱(XPS)等分析手段，对WO<,3>的气致变色机理进行了较为系统的研究，验证了WO<,3>纳米线薄膜的变色起源于氢原子的注入，该注入会导致材料的晶格结构和钨离子的价态发生变化，从而改变材料的光吸收行为，导致外观颜色的改变。在此基础上，本论文还对WO<,3>纳米线薄膜气致变色前后的电特性进行了表征，发现变色之后薄膜的电流一电压特性明显改善，薄膜电阻减少为变色之前的三分之一，为纳米线气致变色特性在气敏传感器方面的应用提供了一些参考。