【摘 要】
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该学位论文内容主要涉及了三个部分的研究工作:即铁电体/GaN异质结构的生长研究和电学性质研究,利用Si基MIFS结构研究F/S界面的电学性质,在ZnAlO/sapphire上的GaN MOCVD研究.
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该学位论文内容主要涉及了三个部分的研究工作:即铁电体/GaN异质结构的生长研究和电学性质研究,利用Si基MIFS结构研究F/S界面的电学性质,在ZnAl<,2>O<,4>/sapphire上的GaN MOCVD研究.该文分五章论述:第一章 绪论;第二章 铁电体/GaN异质结构体系的制备和电学性质研究;第三章 铁电体/Si界面的电学性质研究;第四章 在ZnAl<,2>O<,4>/sapphire上的GaN的MOCVD一步生长法研究;第五章 总结.
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