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近年来,随着太阳能技术的迅猛发展,不仅在研究领域已经取得了突破性的进展,在工业生产的规模上也逐步扩大。为了获得更高的效率以及降低生产成本,研究者们对太阳能技术进行不断的革新。而太阳电池表面制绒是生产高效率晶体硅太阳电池的关键技术之一,有利于降低晶体硅太阳电池表面对太阳光的反射,增加光生电荷,提高太阳电池的短路电流等各项指标,能在很大程度上提升电池的性能。本文主旨在于使用新的腐蚀试剂来制备单晶硅表面微结构,探索实验最佳条件,来制备良好的硅表面微结构,然后运用到硅太阳电池制绒中,以获得较好的单晶硅绒面和较低的绒面反射率。本文首次采用K3PO4/K2HPO4体系来制备单晶硅表面微结构,设置三组不同实验条件,通过大量反复实验,不断优化实验条件,最后获得制备良好单晶硅表面微结构的最佳工艺。经过对制备单晶硅表面微结构实验数据的分析,灵活运用到制备单晶硅绒面的试验中,然后设置五组实验条件分别为:①不同质量浓度的K3PO4腐蚀溶液、②不同质量浓度的K2HPO4腐蚀溶液、③不同质量浓度比的K3PO4/K2HPO4混合溶液、④不同腐蚀时间、⑤不同腐蚀温度,来研究对单晶硅表面制绒及反射率的影响。采用扫描电子显微镜观察单晶硅表面微结构和绒面的形貌,用紫外可见分光光度计测试绒面的反射率图谱,通过不同条件的对比实验,分析实验数据,得出以下结果:获得良好单晶硅表面微结构即“金字塔”尺寸均匀,大小为1-2um的最佳工艺为在制绒体系K3PO4/K2HPO4中固定K2HPO4质量浓度为1%、配制K3PO4/K2HPO4质量浓度比为25:1,反应温度为85℃,反应时间为4min50s。而在单晶硅制绒实验中,最后得出制绒体系中固定K2HPO4质量浓度为1%,配制K3PO4/K2HPO4质量浓度比为15:1,在反应温度为85℃的条件下,腐蚀时间为15min可以获得加权平均反射率为11.27%的高质量单晶硅绒面。