高闪络电压的绝缘陶瓷是电真空器件中起高压绝缘、真空密封以及支撑固定作用的关键材料。在真空环境中，绝缘陶瓷容易发生沿面闪络击穿，其击穿强度远低于相同尺寸的真空间隙的耐压水平。随着高真空器件的发展，沿面闪络现象已经成为了一个亟需解决的问题。因此，研究绝缘陶瓷在真空中沿面闪络现象及其机理，寻找提高闪络电压的方法，具有十分重要的意义。　　本文综述了真空中固体绝缘介质的沿面闪络机理、影响因素及研究现状，提出了掺杂改性的方法改善绝缘陶瓷的真空绝缘性能，制定了常压制备氧化铝陶瓷的原料选取方案及工艺路线。通过不同的测试手段，来研究氧化铝陶瓷掺杂改性剂添加含量、制备工艺及热处理工艺对绝缘陶瓷的烧结性能、物相组成、烧结性能、导电介电性能及真空绝缘性能的影响。　　使用不同颗粒尺寸的氧化铝粉JY1(D50=1.72μm)、JY2(D50=0.67μm)、GS(D50=0.47μm)作为原料，原料GS在1640℃条件下烧结出的99wt％氧化铝陶瓷气孔率为0.25％，晶粒尺寸较小且均匀，粉料粒度对陶瓷致密性影响显著。　　以质量分数95％的Al2O3陶瓷配方为基料，掺杂0～1.5 wt％ Cr2O3，在1550℃时烧结得到氧化铝陶瓷，Cr2O3掺杂显著降低了95wt％氧化铝陶瓷的气孔率，促进了陶瓷的烧结。随着Cr2O3掺杂含量的增加，材料力学性能增强，当Cr2O3的掺杂含量达到1.5wt％时，其弯曲强度达到285 MPa，断裂韧性3.12MPa·m1/2;随着Cr2O3的掺杂含量的增加，样品的体电阻率从1017降到了8.12×1015Ω·cm。随着Cr2O3的掺杂含量的增加，样品的真空沿面闪络电压先升后降，掺杂量为0.5wt％时达到最高，为65 kV/cm，过量掺杂的样品由于造成了更多的晶体结构缺陷，反而降低了陶瓷绝缘子的真空耐电压。　　以质量分数95％的Al2O3陶瓷为基料，掺杂0～1.5 wt％的MnO在1550℃条件下烧结致密。随着MnO含量的增加，样品的气孔率从0.88％下降到0.21％，烧结性能有所提升。随着MnO含量的提高，样品力学性能有明显提高，当MnO的掺杂含量达到2.0wt％时，其弯曲强度达到330MPa，断裂韧性3.86MPa·m1/2，这是由于MnO和Al2O3形成尖晶石MnAl2O4在晶界位置偏析，促进陶瓷细晶结构的形成。材料的电阻率随着MnO的掺杂而下降，而介电损耗呈现先减后增的趋势，当MnO掺杂含量为1.0wt％时，材料的介电损耗tanδ=8.19×10-5，主要是由于MnO的掺杂使材料的致密化程度提升，使其介电损耗下降;随着MnO的掺杂含量的增加，生成的MnAl2O4尖晶石偏析于晶界，介电损耗增加;随着MnO掺杂含量的增加，陶瓷的真空耐电压变化不大，当MnO掺杂含量为1.0wt％时，材料真空闪络电压值最高，为37.5 kV/cm。MnO的掺杂对氧化铝瓷的真空耐压性能的影响明显低于Cr2O3的掺杂。　　在1400℃-1550℃条件下，对95氧化铝陶瓷样品进行热处理（退火），保温1h。实验结果表明:随着热处理温度的升高，材料的力学性能下降，处理温度为1550℃时，其弯曲强度为242MPa，断裂韧性3.12MPa·m1/2，这主要是由于热处理导致晶粒异常长大而恶化了其力学性能;随着热处理温度的升高，样品只在1450℃条件下耐受住初始电压，为37kV/cm，主要是材料表面的残余应力和一些表面缺陷得到了消除。随着热处理温度的升高，陶瓷的真空耐电压又有明显的下降。陶瓷样品在还原气氛下进行热处理，样品的沿面闪络电压会降低，主要是由于还原气氛下，氧空位的增加使样品表面的“陷阱”增加，玻璃相更易挥发，使样品更易被击穿。