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随着嵌入式系统的发展,对数据存储量的要求正在快速增长。FLASH具有速度快、密度大、非易失性及可擦除性等特点,正在得到越来越广泛的应用。FLASH主要有NOR和NAND两种,而NAND FLASH具有更小的体积、更快的写入和擦除速度、更多的可擦写次数以及更低廉的每比特价格,成为了大量数据存储的理想器件。基于闪存的固态硬盘,采用FLASH芯片作为存储介质,这也是我们通常所说的SSD。与传统的硬盘相比,它由固态电子存储芯片阵列制成,内部没有机械装置,因此,SSD具有更快的读取速度,没有噪音,发热量低,不会发生机械故障,工作温度范围大,体积小,重量轻,抗震动的优点。虽然有容量小,成本高,数据难以恢复等缺点,但是,随着技术的不断发展进步,固态硬盘的技术发展也将更加完善,固态硬盘也将得到更加广泛的应用。NAND FLASH的控制逻辑复杂,数据、地址采用同一总线,实现串行读取,随机读取速度慢且不能按字节随机编程。因此,本文探讨了基于Xilinx Spartan-3E的多片NAND FLASH并行存储控制器的设计方案,设计实现了类SRAM接口,处理器能够按照SRAM接口标准对NAND FLASH进行操作而不需要考虑NAND FLASH的接口规范,方便了NAND FLASH应用的扩展。基于FPGA的多片NAND FLASH并行存储控制器,实现了SRAM接口和NAND FLASH接口的转换,将复杂不通用的NAND接口转化为了简单通用的SRAM接口,能够控制多片NAND FLASH的读写等操作；实现ECC校验功能,对写入和读出的数据进行校验操作,提高处理效率；控制多片NAND FLASH芯片,扩大了容量,提高了并行处理能力,便于实现SSD。综上所述,基于FPGA的多片NAND FLASH并行存储控制器的设计实现,不仅具有理论研究的价值,在SSD设计实现方面有实际的利用价值。