随着二维材料相关理论的发展和合成技术的进步,由二维材料形成的复合材料已经吸引了很多科研工作者的关注,尤其是在纳米电子器件领域。因此,新的二维复合材料成为了理论研究者和实验研究者的主要关注对象。本文研究发现,在弱层间作用力下,二维材料锡烯可以稳定地吸附在单层硫化钼基底上形成锡烯/硫化钼复合材料异质结构。我们的结果显示,在单层硫化钼基底的作用下,锡烯的狄拉克点仍然存在,并且其带隙被打开了 67meV的宽度。更重要的是,这个带隙宽度可以有效地被外部应力和垂直电场调控。通过调控二维复合材料的电子结构,将使其在纳米电子器件中具有更大的应用潜力。本文利用第一性原理计算研究了二维材料锡烯堆砌在单层硫化钼基底上形成的异质结构复合材料,同时考虑了范德华力修正作用,并且对其结构特性和电子特性进行了深入的分析:一、计算了锡烯/硫化钼复合材料的几何结构性质。在计算过程中,为了得到稳定的超晶胞模型结构,我们考虑了三种堆砌配置方式,并进行对比分析。当然,为了确保计算结果的准确性,我们对最终的模型结构进行了几何优化。二、计算了锡烯/硫化钼复合材料的电子结构性质。我们首先分别计算了锡烯和单层硫化钼各自的能带结构,然后计算了锡烯/硫化钼复合材料的能带结构,并进行了对比分析。三、计算了锡烯/硫化钼复合材料电子结构在外部应力和垂直电场下的调控变化。我们分别研究了锡烯/硫化钼复合材料在双轴应力下的电子结构变化,垂直电场下的电子结构变化,以及应力和电场共同作用下的电子结构的变化。这些结果将有助于锡烯吸附生长在半导体基底上的更深入理论研究和实验研究,以及外部因素对二维复合材料电子结构的影响。