金刚石及SiC微纳加工工艺研究

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金刚石氮空位(NV,nitrogen vacancy)色心的固态单电子自旋量子态,凭借其极其优良的制备、探测、操控以及理想的量子相干时间,近年来成为固态量子计算实验研究的重要方向。当前,基于NV色心研究的关键在于实现NV色心量子态向光子态的高效转移和光子的有效收集及探测。  本论文主要对提高金刚石NV色心收集效率,做了辅助性研究。我们并没有进行NV色心制备与表征实验,主要研究其相关的金刚石微纳加工工艺、NV色心制备及表征方法理论知识。另外,在金刚石刻蚀工艺开展之前,我们研究了SiC材料等离子体刻蚀工艺。具体研究内容主要有理论和实验两方面,下面为详细内容。  理论上:(1)金刚石人工生长原理,与氮元素有关的缺陷结构;(2)NV色心结构、性质、应用;(3)离子注入法制备NV色心原理及NV辨认表征手段。  实验上:(1)研究了SF6+O2氛围下,不同O2和SF6流量比率、感应耦合等离子体(ICP,inductively coupled plasma)线圈功率、偏置电源功率等工艺参数变化对刻蚀SiC的影响。(2)研究金刚石等离子体刻蚀工艺,得到了最大刻蚀速率为355 nm/min的一套工艺参数。(3)金刚石抛光与减薄工艺,抛光工艺表面粗糙度可以达到1 nm,减薄速率可以达到21.3μm/min。(4)金刚石光学结构的制作工艺:金刚石纳米柱,金刚石表面光刻胶的微透镜加工工艺。
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