【摘 要】
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该研究采用三种不同Nb掺杂组分的钛铌酸谰锶（SrLaNbTi0陶瓷半导体薄膜,利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺制备Al／SrLaNbTiO／SiO／Si结构,并形成平面型的SrLaNbTiO薄膜电阻器,该文
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该研究采用三种不同Nb掺杂组分的钛铌酸谰锶（Sr<,1-x>La<,x>Nb<,y>Ti<,1-y>0<,3>陶瓷半导体薄膜,利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺制备Al／Sr<,1-x>La<,x>Nb<,y>Ti<,1-y>O<,3>／SiO<,2>／Si结构,并形成平面型的Sr<,1-x>La<,x>Nb<,y>Ti<,1-y>O<,3>薄膜电阻器,该文实验上对这三种不同施主掺杂组分的薄膜电阻器的光敏特性进行研究.该文研究的光敏电阻器既可作为分立元件使用,也可与其它硅器件或电路兼容,而广泛应用于紫外探测或紫外-可见光的传感领域.
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