我们在有效质量近似框架下,采用绝热近似方法、传递矩阵方法对处于外加垂直电场中的该体系进行了理论研究.首先,我们发现外加垂直电场能够改变对应于体系的同一个角量子数的两条电子能级之间的劈裂.当两个量子盘半径相同时,垂直于量子盘、方向相反的两个电场对该体系电子结构的影响基本相同.但当两个量子盘半径不同时,由长半径的量子盘指向短半径量子盘的垂直电场起到了较强的调制作用.当没有外加电场而且两个量子盘相同时,电子在两个盘中的几率分布相同,而当两个盘的半径不同时,长半径的盘中电子存在几率大于短半径盘中电子存在几率.当外加电场由一个量子盘指向另一个量子盘时,电子在前者中存在几率增大,后者中存在几率减小.其次,运用变质量绝热近似方法对体系的电子斯塔克效应重新进行了计算.将量子盘与垫垒中的电子有效质量取不同值时体系的电子能级与量子盘与势垒中的电子有效质量取相同值时的电子能级进行了比较.另外我们对体系的空穴的斯塔克效应也进行了理论研究,发现外加电场能够改变对应于同一个角量子数的两条空穴能级之间的劈裂.当两个量子盘相同时,垂直于量子盘、方向相反的两个电场对空穴的调制作用基本相同.两个量子盘半径不同时,由短半径的量子盘指向长半径量子盘的垂直电场起到了较强的调制作用.最后,我们对垂直累积自组织InAs/GaAs双量子盘体系的光跃迁的振子强度、体系的激子态进行了理论研究.发现体系光学跃迁的振子强度在两个量子盘之间相距较远时发生明显的变化,而且外加垂直电场明显地改变了体系的振子强度.当体系中的一个量子盘的半径固定不变,而另一个量子盘的半径由小逐渐增大时,振子强度只有较小的增加,相应的基态激子能则降低.在外加垂直电场的作用下,不论两个量子盘的半径是否相同,体系的基态激子能均随着电场的增强而降低.其中当两个量子盘相同时,垂直于量子盘、方向相反的两个电场对基态激子能具有相同的调制作用,而两个量子盘的半径不同时,由短半径的量子盘指向长半径量子盘的电场对基态激子能的调制作用强于反方向的电场.