脉冲激光沉积技术相关论文
二维过渡金属硫属化物（TMDs）已被证明了拥有高载流子迁移率、禁带宽度对于紫外到近红外光波段理想以及与材料层数相关的能带结构等有......
为满足新型太赫兹源器件的需求,本文利用脉冲激光沉积技术,制备了一种覆W+BaO-Sc2O3-SrO膜的浸渍扩散阴极.实验选择不同工作比测得......
采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)基片上直接制备了c轴一致取向的LSCO(La0.5S0.5CoO3)电极层和Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄......
利用脉冲激光沉积技术,在(001)SrTiO,(001)LaAlO衬底上制备了厚度(t)从10nm到400nm变化的LaCaMnO薄膜.磁滞回线测量表明这两个薄膜......
本文首先采用脉冲激光沉积(PLD)法在SrTiO3(STO)(001)单晶衬底上生长BiFeO3(BFO)薄膜，然后研究了BiFeO3薄膜的微观结构。......
有一轴取向的斜方晶的 HoMnO3 电影被使用搏动的激光免职技术制作所有氧化物异质接面在 Nb-1.0wt%-doped SrTiO3 单个水晶底层上取......
Orthorhombic HoMnO3(HMO) thin films were grown epitaxially on LaAlO3(001) substrates by using pulsed laser deposition te......
脉冲激光沉积技术作为一种简单、通用和高效的薄膜生长技术,在科研和工业领域具有广泛的应用前景.在许多高科技应用中对薄膜质量的......
当前,能源危机和环境污染是人类面对的共同挑战。许多国家都把能源安全放在了整个国家安全体系中的重要位置,人类对环境的保护意识......
Sr2IrO4是近年来非常热门的一类新型量子功能材料,引起了科研人员的极大兴趣。由于具有强自旋轨道耦合作用,Sr2IrO4被预言具有一系......
利用脉冲激光沉积技术，选用靶材为Mg0.5Zn0.5O陶瓷靶材，在非晶石英衬底上研究氧气流量对Mg1-xZnxO合金薄膜生长取向的影响。研究......
通过脉冲激光沉积技术在p型GaAs衬底上制备了ZnO同质结发光二极管。非掺杂的ZnO作为器件的n型层,p型ZnO层通过衬底中的As向ZnO中扩......
采用脉冲激光沉积技术,在MgO(100)衬底上制备了b轴方向择优生长的BaTi2O5薄膜,重点研究了其介电性能.结果表明,在衬底温度973K、氧......
本研究采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石衬底上制备了过渡族金属Mn掺杂ZnO薄膜，采用X-射线衍射、紫外-可见光学吸收和Raman散射技术对......
本文利用脉冲激光沉积技术在DyScO3(DSO)衬底上异质外延生长了SrTiO3(STO)薄膜.采用原位X射线衍射方法在20-300K范围内测量了低温......
本文采用操作简单,条件较易掌握的脉冲激光沉积技术制备锂磷氧氮薄膜.薄膜的离子导电率由交流阻抗技术的测得.......
本文报道了利用两步法成功地在ALO衬底上制备出MgB超导薄膜;首先利用脉冲激光沉积技术沉积B膜,然后在Mg蒸汽环境下对B膜进行高温退......
该文研究了10x10mmSi双晶基片上制备高TcYBCO DC-SQUIDs工艺及其特性。实验 中采用脉冲激光沉积技术在24°Si(100)双晶基片上原位......
利用脉冲激光沉积技术制备出了掺氮和未掺氮的类金刚石薄膜。采用X射线衍射仪、喇曼光谱仪、扫描电镜观察了掺氮和未掺氮类金刚石......
钙钛矿氧化物具有十分丰富的物理和化学性质,例如铁磁性、铁电性、巨磁阻效应等,使其在存储及传感等方面都具有广阔的应用前景。因......
GaN基宽禁带半导体材料在高亮度发光二极管、短波长半导体激光器、紫外光探测器、高温高功率电子器件等领域有着广泛的应用。ZnO作......
多铁性磁电多态存储器具有结构简单、常温适用性好、读取方式简单等优点。真正开发出具有多态存储功能的磁电材料，关键在于磁电材料......
透明导电氧化物(TCO)作为一种重要的光电子信息材料，在制造发光器件、薄膜太阳能电池、表面声波器件、传感器、平板液晶显示器和红......
以xBiFeO-(1-x)SrBiNbO(以下简称xBF-(1-x)SEN)陶瓷为靶材，采用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基片生长了xBF-(1-x)SBN薄膜，其中 x 分......
ZnO是一种直接带隙的宽带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37 eV,激子束缚能(60 meV)。近年来,ZnO纳米材料受到广泛关注,......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激了束缚能高达60 meV，使其能在室温或更高温度下稳定存在，因而成为制......
本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,以308nm的XeCl准分子激光作为激发源,以单晶S(i001)为基片,在氧的活性气氛中通过激光烧蚀Zn_(1-x)......
学位
本文采用脉冲激光沉积技术在本征SrTiO3和掺Nb的SrTiO3上生长钙钛矿结构La0.67Sr0.33MnO3薄膜.在最佳生长条件下分别在STO和掺......
随着传统能源储量的日益枯竭以及全球环境的不断恶化,新能源的开发以及利用工作正在逐渐为人们所重视。在所有的新能源中,锂离子电......
学位
该论文系统地研究采用脉冲激光沉积(Pulsed laser deposition,简称PLD)技术制备的(LaSn)MnO薄膜的晶体结构、电磁性质及其电子结构......
Nd：YVO4晶体是一种性能优良的激光基质晶体，具有低激光阈值、高斜率效率、大的受激发射截面，在很宽的波长范围对泵浦光有较大的吸收、......
该论文系统地研究了新型庞磁电阻(colossal magnetoresistance,CMR)材料(包括块材及薄膜)——Te掺杂镧锰氧化物的电子结构、晶格结......
本工作采用脉冲激光沉积法(PLD)制备出纳米金刚石薄膜(NCD)和类金刚石薄膜(DLC),初步研究了薄膜沉积时的参数:衬底温度、激光能量......
随着薄膜制作技术和精细加工技术的快速发展,光学薄膜技术也日益成熟起来,它不仅广泛应用于光通信、光信息处理、光学测量等领域,......
脉冲激光技术的迅猛发展和诱人的应用前景,使其成为当今世界上的研究热点之一。脉冲激光沉积技术(PLD)在众多的薄膜制备技术中更是......
在si基片上制备高质量的Bi_2Sr_2cacu_2O_x(Bi2212)薄膜是实现该高温氧化物超导材料应用于微电子器件的关键一步。但是,直接在Si单......
在信息高度发达的今天,人们对器件微型化、高性能化、多功能化的要求越来越高,这就需要发展同时具备多种功能的新材料。 作为一......
由于拥有与常规块体材料不同，甚至相反的物理特性，纳米材料受到人们的高度关注，特别是近几年，核壳结构的复合纳米材料由于其独特而多样......
本论文在多种单晶基片上利用脉冲激光沉积技术外延生长了层状钴氧化物Bi2Sr2Co2Oy、Ca3Co4O9和NaxCoO2热电薄膜并研究了其热电输运......
随着半导体技术的快速发展，各种新型非易失性存储器(NVM)应运而生，主要包括铁电存储器(FRAM)、磁电阻存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM......
在气体配比HCl:Xe:He=0.12%:1%:98.88%实现了大功率短脉冲XeCl准分子激光器,以纳米异质结构、微观量子阱、表面微小尺度薄膜沉积,......
以薄膜沉积、外延生长及后续的光刻、激光与物质的相互作用、等离子体研究为目的,研究了XeCl动力学模型及辉光实现.采用辉光脉冲放......
