SiC是第三代半导体核心材料之一，具有宽带隙、大热导率、高电子饱和速率、高电子击穿强度以及优良的化学稳定性等特点，在高频、高温、高密度、大功率的集成电子器件、以及发光和光探测器件中具有良好的应用前景。与传统的SiC纳米结构材料相比，具有一维纳米结构的SiC材料具有更加优良的力学、光学和场发射等性能。本文采用熔盐辅助碳热还原法和熔盐辅助气相沉积法，先后制备出了一维“直线状”、“竹节状”和超长“壳核结构”的SiC纳米结构材料，研究了工艺参数、原料种类、催化剂、合成温度等对SiC纳米线的显微结构和形貌的影响，此外，还测试了合成的SiC纳米线的光致发光性能。主要结果归纳如下：　　采用熔盐辅助碳热还原法，以 SiO2微粉和酚醛树脂为原料，以 NaCl-NaF为熔盐辅助介质，在1450℃条件下保温4h，合成了表面光滑的β-SiC纳米线，其直径为100-150nm，长度约10μm。与传统碳热还原法相比，合成温度降低了100-150℃。SiC晶体生长机制为沿垂直于β-SiC晶体的(111)晶面方向生长的“气相-固相”生长机制。同时，在β-SiC晶体的(111)晶面方向上有少量的堆积缺陷存在。合成产物的光致发光性能表现为蓝、紫光，与传统报道的碳化硅材料相比，表现出一定的蓝移现象。　　以SiO2微粉为硅源，以蔗糖为碳源，NaCl-NaF为熔盐介质时，在1450℃条件下，合成了壳核结构SiC/SiO2的纳米线，其直径为50-150nm，长度约5μm，显微形貌呈现"直线状"和"竹节状"两种形貌。SiC/SiO2纳米线的晶体生长机制仍为"气相-固相"生长机制，主要为沿垂直于β-SiC的(111)晶面方向层层堆积而成，并且产生的堆积缺陷对晶体的生长、显微结构和形貌具有重要的影响，纳米线的SiO2壳层可能是在降温过程中形成的。　　在碳热还原合成SiC纳米线工作的基础上，引入催化剂Fe(NO3)3·9H2O,、Co(NO3)2·6H2O、Ni(NO3)2·6H2O，SiC纳米线的合成温度降低了100℃，合成产物中的“竹节状”纳米线多数转变为为“直线状”结构。　　在熔盐辅助碳热还原法的基础上，以SiO2微粉和酚醛树脂为原料，引入催化剂(Ni(NO3)2)，通过实验设计，在1400℃下，采用气相沉积合成了超长壳核结构SiC/SiO2纳米线，其长度达800μm，直径为150-500nm。本实验为一步合成，不需要纳米颗粒与纳米线的分离与除碳过程。纳米线生长机制为：由“气相-液相-固相”（纳米晶体的成核和前期生长阶段）和“气相-固相”（纳米线后期生长阶段）共同主导。合成的超长SiC/SiO2壳核结构纳米纤维的光致发光性能，表现出更明显的蓝移现象。　　最后，以单质Si粉和酚醛树脂为原料，以硝酸镍为催化剂，在1350℃条件下，通过熔盐辅助气相沉积法合成了单晶超长 SiC纳米纤维，纤维直径为100-300nm，长度为毫米级。且表现出良好的光致发光性能，同时，也出现明显的蓝移现象。纳米线的生长机理为"气相-液相-固相"和"气相-固相"生长机制共同作用。