VDMOS器件具有开关速度快、输入阻抗高和负温度系数等一系列优点，是当前半导体分立器件的高端产品，应用范围广，市场需求大，发展前景好。目前国内的市场已经被国外大公司所垄断，大部分依赖进口。因此国内急需自主研发并量产具有自主知识产权的相关产品，替代国外产品。半导体产业是一个具有高度竞争性的行业，新产品推向市场所需时间的长短、开发成本的高低是企业成败与否的关键所在。因此，本文提出了600V系列VDMOS器件的计算机辅助设计方法。 本文首先模拟了外延层参数和终端结构对器件击穿电压的影响，元胞结构与参数对导通电阻的影响；并在模拟过程中着重对VDMOS器件准饱和效应成因进行了深入研究，分析了影响VDMOS器件最大输出电流的因素，提出了一种有效地提高器件最大输出电流的方法；针对VDMOS器件的非均匀掺杂的短沟道，分析了影响阈值电压的因素，提出了阈值电压的调节方法。然后，针对具体的VDMOS器件生产线，提出了600V系列VDMOS器件的版图设计规则。最后，借助计算机设计了1N60，2N60，4N60，8N60，10N60 VDMOS器件，流片测试结果表明各项指标均达到设计要求。 本文还对400V，900V的VDMOS器件进行了设计，流片一次成功，这说明本文提出的计算机辅助设计方法是可行的，缩短了新产品的开发时间，降低了开发成本，增强了企业的竞争力。