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FlashMemory器件尺寸不断减小，要求低的工作电压。降低Si-SiO2势垒是降低栅工作电压的可行办法。
本论文采用反应离子刻蚀(RIE)用CF4等离子气对硅片做预处理，然后进行干法氧化的方法，从而在氧化层中引入F，降低氧化层势垒：势垒高度从3.05eV降低到2.5eV，并且隧穿电流增加，从而可以在低压下提高FlashMemory的编程效率。
进而将制备的含FSiO2介质应用作的隧穿氧化层，分别制备了浮栅及SONOSFlash器件，对其性能及可靠性、不同编程方式及衬底偏置对编程的影响进行了研究。得到如下结论：RIECF4等离子气预处理方法制备含FSiO2介质作为Flash器件的隧穿氧化层，在适当的处理时间下，会优化器件编程/擦除性能，提高阈值窗口，降低工作电压，并且由于F对SiO2介质及界面的改善，会优化Endurance特性，而同时对Retention特性没有不良的影响。
并对不同编程方式及衬底偏置对其的影响做了初步的研究。