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本文主要对低压化学气相沉积（LPCVD）法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多......
该文基于海南某小型光伏电站测试项目，收集p型和n型2种光伏组件在2021年的发电量数据，对比分析这2种组件在不同月份下的单瓦日均发电......
为系统研究n型TOPCon电池的背表面掺杂特性,设计专门的材料结构并进行掺杂浓度分布及背表面暗饱和电流密度值的测试.结果表明,当多......
本文利用Quokka3软件研究了采用TOPCon技术的n型PERT太阳电池(下文简称“TOPCon-n-PERT太阳电池”)发射极的饱和电流密度、发射极-......
当前集成电路器件尺寸已缩小到纳米尺度，在此尺度下，传统体硅CMOS器件的进一步缩小受到来自于器件结构、材料以及工作机理等诸多方面......
随着集成电路工艺的不断发展，存储单元的特征尺寸在不断减小，存储芯片的集成度也在不断提高，基于连续电荷存储的传统多晶硅浮栅flash......
闪速存储器(Flash Memory)是目前占据统治地位的非易失性半导体存储器(NVSM)。它具有低功耗,小体积,高密度,可重复擦写等优异的特......
TOPCon电池采用超薄氧化硅与掺杂多晶硅对晶体硅前后表面进行钝化并实现选择性载流子输运,提高了晶体硅太阳能电池的效率,但其中的......
光伏产业作为能源转型和落实能源生产与消费革命的决定力量之一,产品的降本增效是我国实现光伏平价上网的基础,而研制新结构、开发......
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集成电路制造是一门以微电子学为基础、涉及众多领域的新兴交叉学科。如何有效地对上千道复杂工序进行整合与优化，从而保证集成电路......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理.由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆......
