微通道板（Microchannel Plate,MCP）是一种电子倍增器。MCP在多个科学领域均有应用,如微光夜视、光电倍增管及图像光子计数器等。传统的铅硅酸玻璃微通道板是通过玻璃纤维拉丝、排丝、切片和氢还原等工艺制备的。此生产工艺复杂且衬底材料的选择有限。经该法制得的MCP增益普遍偏低,噪声因子偏大,寿命较短。原子层沉积（Atomic Layer Deposition,ALD）技术具有薄膜厚度精确可控、保形性好的优点,可在具有高长径比结构的衬底上制备高质量薄膜。因此,ALD技术非常适合用于MCP薄膜打拿极的制备。本文利用ANSYS Fluent软件模拟了ALD过程中前驱体在反应腔室内的分布情况。研究了压强及前驱体通入时间对分布情况的影响。模拟结果显示:压强较低时,前驱体材料能快速且均匀地分布在整个腔室中;随着前驱体通入时间的增加,前驱体在整个反应腔室内的分布也越均匀。使用ALD技术在平面衬底上制备ZnO薄膜,研究了压强和前驱体通入时间对薄膜形貌及均匀性的影响。在平面衬底上制备了不同叠层结构的AZO（ZnO/Al2O3）复合薄膜,探究了叠层结构和ZnO循环百分比对AZO复合薄膜厚度及组分的影响,进行了方块电阻测试。实验发现,对于ZnO薄膜,随着压强增大,其厚度增加、粗糙度变大;随DEZ通入时间增加,薄膜厚度略有增加、粗糙度减小。对于AZO薄膜,由于制备过程中存在TMA对ZnO的腐蚀,导致测得的薄膜厚度小于理论设计值。薄膜厚度和Zn%随叠层结构的增加而增加。ZnO循环百分比保持为50%时,AZO薄膜方块电阻随锌铝叠层比的增加而略有减小。ZnO循环百分比在50%～75%之间变化时,方块电阻在1011～1013Ω/□之间。可以看出,方块电阻随ZnO循环百分比的增加而减小。以AZO薄膜为导电层,Al2O3薄膜为发射层,进行了MCP薄膜打拿极的制备。研究了退火处理对MCP板电阻的影响。实验发现,由于TMA对ZnO的腐蚀,导致AZO薄膜的厚度在通道中部与端口不一致。延长TMA通入时间至250 ms可解决单通道内厚度不一的问题。当TMA通入时间为500 ms时,发现薄膜在整个通道内组分均匀。未退火时,所有样品的板电阻随电压的升高均有减小的趋势,且板电阻下降幅度过大,不够稳定。经退火处理后,MCP板电阻较未退火时有所增大,且电阻随电压变化的幅度减小。对于先生长7层ZnO薄膜,再生长2层Al2O3薄膜的样品,300℃下在N2中退火60分钟,MCP板电阻仅在同数量级变化（～10~8）,比较稳定,满足MCP要求。