【摘 要】
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该文在分析投影成像系统的部分相干成像理论的基础上,分析了相移掩模技术、光学邻近效应校正技术和双曝光技术提高光刻分辨率和扩展焦深的原理,得到双曝光技术对像质改进的物
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该文在分析投影成像系统的部分相干成像理论的基础上,分析了相移掩模技术、光学邻近效应校正技术和双曝光技术提高光刻分辨率和扩展焦深的原理,得到双曝光技术对像质改进的物理本质.提出了分离掩模不同特征尺寸图形的双曝光的方法,并利用部分相干成像模型进行模拟分析,得到掩模图形的关键设计参数,在理论和模拟基础上设计出掩模,用电子束光刻机制作掩模,通过i线光刻投影系统进行准双曝光实验研究.研究结果表明,双曝光技术可明显提高光刻图形质量,可在极限分辨率为0.5μm的光刻机上曝光得到大小特征尺寸图形同时优化的0.4μm和0.8μm的周期密集孔,并有曝光得到0.3μm的周期稠密线的趋势.
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