砂轮划片机使用金刚石刀片对半导体器件进行高速磨削分割，半导体器件所用的硅和陶瓷属于硬脆材料，由于材料的特殊性和半导体器件划切道宽度的严格限制，砂轮划片机的划片工艺在半导体器件制造中十分重要。 半导体器件制造业严格限制划切道的宽度以提高材料的利用率，硬脆材料在划切时容易产生划切道边缘崩边，造成电子元件损坏。为了有效利用材料和提高成品率，必须将划切道宽度和产生的崩边减至最小。影响划切质量和效率的因素包括材料的性能、设备的性能、刃具和划切工艺。本文分析硬脆材料的性能和研究半导体器件的划切工艺，对这些影响因素进行了研究，优化了划切工艺参数。 本文分析了硅和陶瓷的材料性能，研究了空气静压主轴的性能和金刚石刃具的性能，研究了主轴速度、划切速度、划切深度和冷却方式及流量等工艺参数，并对影响划切道宽度和产生崩边的主要因素进行了详细的阐述。 采用田口实验法，用正交实验对多种可控因素进行定量研究，并针对不可控因素建立正交表进行分析，对实验数据进行处理，得到了优化的工艺参数，并完成了实验验证。 研究表明划切道宽度与边缘崩边的大小，主要影响因素是主轴速度、划切速度、划切深度、刀片冷却流量和冷却方式。空气静压主轴速度高，划切速度慢划切道宽度大，崩边小；划切速度快划切道宽度小，崩边大；划切深度小和冷却水流量适中效果好。刀架端面的精度直接影响划切质量，优化的刀架结构有利于减小划切道宽度和崩边。通过系统的研究后，提出了硅和陶瓷最佳工艺参数和设备的改进措施。 本文的研究有利于提高半导体器件材料的利用率和器件成品率，提高设备的性能和效率，在生产中具有指导意义，对半导体器件的划切和砂轮划片机的研究提供了理论依据。