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首先,为了更好地与a-Si TFT驱动电路配合,本论文中制作了一种采用ITO透明阴极和金属Al阳极的倒置结构有机发光器件。对于结构为ITO/Alq3（60nm）/NPB（45nm）/Al的倒置结构OLED,由于器件的两端电极处有较高的载流子注入势垒,致使器件在20 V偏压下也没有发光现象,因此分别利用LiF薄层和MoO3薄膜层对器件的电极进行了修饰,通过优化LiF薄层和MoO3薄膜层的厚度,制作了结构为ITO/LiF（0.4nm）/ Alq3（60nm）/NPB（45nm）/MoO3（15nm）/Al的器件,使器件的最大发光亮度达到了1089 cd/m2,最大电流效率也达到了0.118221 cd/A。由于优化电极后OLED的发光亮度和发光效率等参数都很低,因此又在Alq3中掺杂了rubrene材料,进一步地提高了器件的发光效率,将器件的最大发光亮度提高到了4646 cd/m2,最大的电流效率提高到了0.700472 cd/A。同时为了能同时提高OLED的对比度和发光效率,文中分别利用酞菁铜（CuPc）和C60作为OLED的空穴注入层和电子注入层,制作了结构为ITO/CuPc（25nm）/NPB（25nm）/Alq3（20nm）/LiF（0.3nm）/Al（0.6nm）/C60（30 nm）/Mg:Ag（100nm）的有机电致发光器件。由于CuPc和C60薄膜材料在不同波长区域具有较高的光吸收系数,并且它们同时具有较高的载流子迁移率,因此与没有使用CuPc和C60层的器件相比,在环境照度为140 lx的条件下,当发光亮度为300 cd/m2时,器件的对比度增加了100%以上。在所加电压为9 V时,器件具有3.93 cd/A的最大电流效率,这高于没有使用CuPc和C60层的器件的3.62 cd/A,在电压为15 V时器件具有17170 cd/m2的最高亮度,实现了OLED对比度和发光效率同时的提高。