分子印迹技术(Molecular Imprinting Technology)是人工设计合成对目标分子有预定选择性的技术。分子印迹聚合物有预定性、特异识别性和实用性以及耐酸、碱、稳定性好、耐高温等优点,因此在膜分离、固相萃取、传感技术等领域都有广泛的应用。分子印迹聚合膜不仅有膜的性能还有聚合物的优点,因此分子印迹聚合膜的研究成为热点。但传统分子印迹聚合膜的制法加入了交联剂,膜的传质速率较慢、模板洗脱困难、膜厚度不易控制等缺点,严重阻碍了分子印迹技术发展。而电聚合法制备分子印迹聚合膜制备简单、膜厚可控、膜与电极附着力强、重现性好等优点,大大提高了工作效率。本文在对分子印迹技术和分子印迹电化学传感器概述的基础上。通过电聚合的方法,以铅笔芯石墨电极作基质,以吡咯和邻苯二胺为复合功能单体,分别以水杨酸、对羟基苯甲酸、抗坏血酸为目标分子,形成分子印迹共聚膜,构建了几种分子印迹电化学传感器。对聚合膜电化学性能进行了表征,探讨了传感器各方面性能。具体工作如下:(1)以水杨酸为目标分子,吡咯和邻苯二胺为复合单体,用循环伏安法在石墨电极表面制备水杨酸分子印迹电化学传感器。通过方波伏安法和扫描电镜对分子印迹共聚膜的电化学性质和表面形貌进行表征。对制备条件(洗脱时间、扫描圈数、p H值、模板单体比列)进行了优化。在最佳条件下,通过方波伏安法对传感器的性能进行了测定,结果显示在浓度为1×10-10—1×10-3 mol/L时,峰电流和水杨酸浓度的负对数成线性关系,最低检测限1.101×10-11 mol/L(S/N=3)。该传感器的使用寿命为一个月,用于实际样品的检测时回收率达到95.58%—96.13%,相对误差为3.43%。(2)以羟基苯甲酸为目标分子,吡咯和邻苯二胺为复合功能单体,用循环伏安法在石墨电极表面制备对羟基苯甲酸分子印迹电化学传感器。以铁氰化钾为电化学探针,通过方波伏安法对分子印迹共聚膜的电化学性质进行研究,用SEM对印迹膜表面形貌进行表征。探讨了扫描圈数、制备液的pH值、模板单体比例对传感器性能影响。在最优条件下,探索传感器的性能,结果表明在1×10-8—5×10-4 mol/L范围内,峰电流和对羟基苯甲酸浓度负对数呈良好的线性关系,最低检测限为2.73×10-9 mol/L(S/N=3),相对误差为3.43%。实验表明该传感器抗干扰能力强,使用寿命为长达35天。(3)以抗坏血酸为目标分子,吡咯和邻苯二胺为复合单体,用循环伏安法在石墨电极表面构建抗坏血酸分子印迹电化学传感器。以铁氰化钾为电化学分子探针,通过方波伏安法对分子印迹共聚膜的电化学性质进行研究,用SEM对共聚膜表面形貌进行表征。研究了制备液的pH值、扫描圈数、模板单体比例以及洗脱液的选择和洗脱时间对传感器性能影响。在最优条件下,探索传感器性能,结果表明在1×10-6—1×10-3 mol/L范围内,峰电流和抗坏血酸浓度的负对数呈良好的线性,最低检测限为2.63×10-7mol/L(S/N=3)。该传感器的使用寿命为20天,用于实际样品的检测时回收率达到95.71%-105.98%,相对误差为5.24%。