基于金属氧化物TFT的AMOLED显示屏驱动技术的研究

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有机发光二极管显示器(OLED)凭借其自发光、响应速度快、工作电压低、面板厚度小、宽工作温度区间、宽视角、可制作大尺寸可挠性面板等众多优点,拥有广阔的应用前景,是目前最受关注的显示技术。OLED驱动方式分为被动矩阵驱动(Passive Matrix)和主动矩阵驱动(Active Matrix)两种方式。PMOLED构造简单,但是其性能不适合应用于大尺寸显示。而基于TFT基板的AMOLED尽管结构更复杂一些,但是其性能适合于大尺寸和大信息量的显示。TFT可以使用多种材料通过相应的工艺制成,目前最热门的有非晶硅、多晶硅和金属氧化物TFT。金属氧化物TFT在迁移率(性能)和成本方面实现了比较好的折中。目前,国内的金属氧化物TFT基板制备技术在迅猛发展,需要发展与之相匹配的驱动技术。本文首先阐释了AMOLED的工作原理,分析了目前常用的AMOLED的驱动方案。然后,基于目前国内金属氧化物AMOLED制备技术还未成熟定型、缺乏专用的驱动芯片的事实,本文使用LCD驱动芯片作为AMOLED的行列驱动器,采用FPGA作为AMOLED的时序控制器,根据TFT、OLED以及驱动芯片的特性设计相应的伽马校正参考电压(Gamma correction reference voltage)电路,最后结合显示信号接口电路,设计出了一套适合金属氧化物AMOLED显示屏的驱动电路系统,实现验证TFT工艺的可行性的目标。并利用这一显示系统搭建AMOLED显示屏相关性能的测试与调节平台,设计测试与调节方法,将测试和调节过程中得到的信息反馈到基板设计与制备流程,促进AMOLED基板设计与制备技术的发展。同时,探究AMOLED显示屏驱动的设计细节和相关电学参数,为后续的氧化物AMOLED显示屏专用驱动芯片的定制设计做好前期探索。
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