金属氧化物薄膜晶体管相关论文
金属氧化物薄膜晶体管（MO TFT）具有迁移率高、均匀性好、开关电流比大、亚阈值摆幅高、制备成本低、可制作于柔性衬底上等一系列优点......
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基于金属氧化物薄膜晶体管（Metal Oxide Thin Film transistor,MOTFT）所设计的放大器和模数转换器（Analog to Digital Converter,ADC）......
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微发光二极管（Micro-LED）是一种新兴的显示技术,相比于当前的TFT LCD显示和AMOLED显示技术,其具有低功耗、高亮度、长寿命、更快的响......
图像传感阵列在各个领域中有着广泛应用。随着在医疗、安全、汽车和军事领域中新应用的出现,研究重点开始关注于降低传感器制备成......
金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor,MOTFT)以其高迁移率、均匀性好等优势,在数字电路领域应用潜力巨大,其应......
溶液法制备工艺因其低成本和操作简单等特点,近年来被广泛应用于金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor,MOTFT)......
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金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor,MO TFT)因为载流子迁移率高,透明性好和工艺简单等优点,具有广泛的应用......
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近年来,二维材料(2D materials)突触晶体管器件由于其维度低、可同时读写操作、效率高等优势,受到了研究者的广泛关注。然而,由于......
TFT的器件特性是影响氧化物TFT驱动的LCD显示屏良率的关键因素。本文研究了氧化物TFT的关键特性参数(阈值，稳定性）对窄边框LCD显示屏......
基于固态电解质的金属氧化物薄膜晶体管具有良好的环境稳定性和优异的电学性能,因而具有巨大的应用潜力。针对传统基于固态电解质......
跟非晶硅（amorphous Silicon,a-Si）、多晶硅（ploy-Silicon,poly-Si）和有机薄膜晶体管相比,金属氧化物薄膜晶体管（Metal Oxide Thin Film......
射频识别(RFID)是一种通过无线射频信号识别和追踪标签所附着物体的自动识别技术,使用该技术可以在不和被识别物体直接接触的情况......
金属氧化物半导体作为薄膜晶体管(TFT)的优良沟道材料,在液晶显示器(LCD),有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)以及其他新兴的电子应用......
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薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)是 TFT-LCD 和 AM-OLED 等平板显示的核心部分,其性能决定了平板显示器的分辨率和尺寸。传......
有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示凭借其高亮度、高对比度、宽视角、重量轻、制造工艺简单、响应速度快、低功耗、可制作大尺寸......
金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor,MO TFT)具有迁移率高、均匀性好等方面优点,在数字电路领域应用潜力巨大......
金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin-Film Transistor,MO TFT)的高迁移率、灵活的制备工艺、低成本、可大面积成膜和兼容柔性......
有机发光二极管显示器(OLED)凭借其自发光、响应速度快、工作电压低、面板厚度小、宽工作温度区间、宽视角、可制作大尺寸可挠性面......
金属氧化物薄膜晶体管（Metal Oxide Thin film Transistors,MOTFTs）因在其在未来大尺寸、高帧率和高分辨率的平板显示器中巨大的潜在......
学位
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)在平板显示领域和传感器件领域应用非常广泛。新兴的金属氧化物(Metal Oxide,MO)TFT具有迁......
金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin-Film Transistor,MO TFT)被视为新一代电子设备制造器件的有力候选者。其应用范围已经从......
采用磁控溅射法制备了底栅反交叠刻蚀阻挡型（ES）金属氧化物薄膜晶体管（α-IGZO TFT）,测试了TFT电流-电压特性曲线.根据TFT的一级近似模......
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在2.5 G试验线上研究了金属氧化物IGZO薄膜晶体管(TFT)的性能,获得良好的IGZO TFT性能,迁移率为10.65cm2/V·s,阈值电压Vth为-1.5 ......
