【摘 要】
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近年来,伴随着光通信、工业控制、人工智能等领域日益增长的探测需求,近红外光电探测也随之成为备受关注的焦点。现阶段,滤波装置的高成本和集成工艺的高难度,使得近红外窄带光探测器在实际的设计和制备过程中受到诸多限制。硅基光电探测器由于与CMOS具有非常好的兼容性,是集成光电子器件的理想选择。本文拟研发一种高性能、易集成的硅基窄带近红外光探测器,系统地对其仿真设计、加工制备、性能测试及其在脉搏检测中的应用
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近年来,伴随着光通信、工业控制、人工智能等领域日益增长的探测需求,近红外光电探测也随之成为备受关注的焦点。现阶段,滤波装置的高成本和集成工艺的高难度,使得近红外窄带光探测器在实际的设计和制备过程中受到诸多限制。硅基光电探测器由于与CMOS具有非常好的兼容性,是集成光电子器件的理想选择。本文拟研发一种高性能、易集成的硅基窄带近红外光探测器,系统地对其仿真设计、加工制备、性能测试及其在脉搏检测中的应用开展研究。选取硅微孔阵列结构/石墨烯肖特基结光电二极管为研究对象,研究硅/石墨烯肖特基结二极管和硅微孔陷光结构对探测器近红外响应特性的影响规律,探索窄带近红外光探测器在脉搏监测中的实际应用。主要研究内容及成果如下:(1)基于半导体物理理论和成熟的硅刻蚀工艺,提出了构建正六边型硅微孔阵列陷光结构提升器件的光响应特性。利用电子设计自动化软件Silvaco TCAD首次构建了三维硅微孔阵列肖特基二极管光探测器的模型,分析了微孔结构对光场分布、光生载流子收集的影响,进而获得窄带近红外光电探测器的优化设计方法。(2)基于硅微孔阵列/石墨烯肖特基光电二极管的仿真优化参数,结合现有的实验条件和工艺方法,采用光刻、显影和感应耦合等离子体干法(ICP)刻蚀等微细加工技术构建了六边形硅微孔阵列陷光结构,并湿法转移类金属材料石墨烯装配了底电极,完成了硅微孔结构/石墨烯肖特基二极管光探测器的制备。光电特性表征发现,器件具有优异的窄带近红外光电响应且在1064nm波长光照射下出现光生电流峰值,开关比高达10~7,-1V偏压下的响应度达到1.03A/W,近红外光电性能远好于平面硅/石墨烯肖特基结器件、硅/石墨烯肖特基结区设置在衬底顶部的器件和部分商用硅基光电探测器。(3)基于光电容积描记法(PPG)脉搏监测原理,搭建了由正六边形硅微孔阵列结构/石墨烯肖特基窄带近红外光电探测器、发光二极管和放大器电路组成的脉搏测量系统,对比发现制备的窄带近红外光探测器可比拟商用器件在脉搏检测中的应用。研究结果表明,基于硅微孔结构陷光结构设计及相关器件的构建方法对促进硅基近红外光电探测器及其相关应用具有重要意义。
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