随着电子器件的发展,高压大功率MOS器件被广泛应用于相关电路设计中。而众多器件中,以高压横向双扩散金属氧化物半导体管（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor,LDMOS）结构研究为主要热点之一。主要因为其具有降低开关损耗、提高开关速度且易于集成等特点。作为耐压型器件,高压LDMOS器件的核心目标是提升击穿电压和降低导通电阻。为了实现上述目标,目前业界主要围绕器件结构、材料以及工艺等方面开展研究。此外,器件的物理模型、电路模型等工作也为集成电路设计提供有力支持。因此,本文以高压LDMOS的结构研究为题进行研究在学术与应用中都有重要的价值与意义。本文先阐述了高压LDMOS的研究背景和意义,然后介绍了基本结构、工作过程及国内外现状。并分析说明了绝缘衬底硅、沟槽、场板、超级结等耐压技术应用于高压LDMOS中的结构特点、材料性质以及工作机理。其次,提出了具有凸型扩展埋氧区沟槽绝缘衬底硅（Silicon-on-Insulator,SOI）LDMOS结构,该结构的特点是在埋氧层上方有一个凸型扩展区。该区域的引入使埋氧层能够承担更多的电场强度,因此优化击穿电压。而且由于凸型扩展埋氧区的引入缩短了器件的电子流通路径,并且辅助耗尽漂移区,因此导通电阻明显优化。和传统沟槽SOI结构相比,品质因数(Figure-Of-Merit,FOM,=BV~2/Ron)值提升了64.6%。接下来又提出了带有P柱的凸型扩展埋氧区结构,P柱使击穿电压提升23.6%,导通电阻优化了61.1%,因此器件性能极其明显优化了。之后,提出了带有垂直场板结构的凸型扩展埋氧区沟槽SOI LDMOS结构,研究结果显示性能并没有得到很明显的提升,说明其和凸形埋氧层结合使用并不能起到良好的作用。然后,提出了半椭圆氧化沟槽SOI LDMOS结构,该结构的特点是在硅膜层顶部栅极和漏极之间有一个半椭圆状的氧化沟槽,半椭圆氧化沟槽使器件的横向表面电场上产生了一个巨大的电场峰值,提升表面电场强度。与此同时,拉低源电极和漏电极的电场峰值。由于半椭圆氧化沟槽的存在,埋氧层表面的空穴浓度也提升了,因此纵向上埋氧层的电场强度得到提升。从而整体优化了器件的击穿电压,从传统氧化沟槽的432V提升到526V,击穿电压提升了约22%,衡量器件性能的品质因数提升了16.8%。最后,本文对上述工作进行了总结与展望。指出研究生阶段工作的不足,并且对未来的研究可能扩展的方向也做了一些计划和探索。