拓扑绝缘体作为一种新的量子物态,因其丰富奇特的电子特性以及在未来电子技术中的应用前景,在世界范围内取得了快速发展,并成为凝聚态物理研究中的一个热点领域。近来,理论物理学家预言了一种新的三维拓扑材料HgCr2Se4,并进一步指出其有望应用在自旋电子器件和容错量子计算中,这对信息技术的发展具有深远影响。但目前对其基本物性在实验上的研究认识仍很有限,因此本文先通过气相传输法制备得到了高品质的HgCr2Se4单晶,再在此基础上对其晶体结构、热学、磁学、电学性质进行了详细研究；最后通过分析研究CdCr2Se4单晶的低温比热性质,对此类化合物的基态进行了一些探索。主要包括以下5个部分。(1)高品质、大尺寸HgCr2Se4单晶的制备采用了气相传输方法,其中无水氯化铬或无水氯化铝作为气相传输介质,高纯试剂汞、硒粒、铬粉为原料。(2)晶体结构研究表明其属于立方晶系,为尖晶石结构,磁性的Cr离子占据在烧绿石结构上,因而受到极强的阻挫。(3)磁性测量表明HgCr2Se4在106K附近发生铁磁相变,其居里外斯温度为200K,饱和磁化强度为3μB/Cr。进一步的分析表明最近邻的Cr-Cr相互作用是其磁性的主要来源。(4)电学性质测量研究表明发生的铁磁相变引起能带翻转,导致电输运性质从半导体向金属体转变。(5)低温的比热研究表明此系列化合物基态普遍存在弱的反铁磁相互作用,同时通过理论拟合阐明了在此系列化合物中出现的低温比热反常向上翻转是由于存在肖特基反常导致的。