磁控溅射镀膜是工业镀膜生产中最主要的技术之一,尤其适合于大面积镀膜生产。膜厚均匀性、靶材利用率等问题一直是磁控溅射技术研究的重心,本文针对这些问题以小靶材对应大基片镀膜入手,从被镀膜工件的工作位置、运动形式及靶材刻蚀宽度方面进行研究,探索既能保证靶材的利用率,又能提高薄膜膜均匀性的方法。文中提出一款新型的多工位磁控溅射系统,可适应多种工作情况的要求,包括靶基距可调、偏心距多级改变以及自-公转角速度比可控等特点。从圆形平面靶磁控溅射原理出发,针对靶材面积小于基片面积的特点进行分析,建立膜厚分布的数学模型,利用计算机进行模拟、计算及分析。结果表明：基片原位自转时,靶基距和偏心距对膜厚分布均有影响。偏心距一定时,随着靶基距的增大,薄膜厚度变小,膜厚均匀性有变好的趋势；靶基距一定时,随着偏心距的增大,膜厚均匀性先变好后变差。当基片自转复合公转时,随着自-公转角速度比的增大,膜厚均匀性逐渐变好,转速比增大到一定程度后,它对膜厚均匀性的影响逐渐变小。此外,靶材刻蚀宽度的适当增加也有利于获得更好的膜层分布,提高基片上薄膜的膜厚均匀性。最后进行了相关实验,分析实验数据与理论研究结论基本吻合。全文通过分析小靶大基片磁控溅射镀膜膜厚均匀性规律,配合所设计的新型多工位基片运动装置以及相关实验等工作,有利于在大基片上获得均匀性良好的薄膜。希望本文能够为多工位磁控溅射理论的完善提供依据,并且为国内小靶大基片磁控溅射理论及其系统的设计和应用奠定基础。