模数转换器(ADC)γ、中子辐射效应及其试验测试技术研究

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在辐射环境下工作的电子系统,因受到辐射产生辐射效应,导致系统不能正常工作。不同器件生产工艺对不同辐射源敏感程度不同,模数转换器(Analog-to-Digital Converter)是由混合工艺生产的模/数混合器件,其辐射效应更为复杂。   针对以上问题,本文研究了模数转换器(Analog-to-Di gitalConverter)的中子和γ电离总剂量辐射损伤机理、模数转换器的辐射效应参数测试方法,确定了ADC的辐射敏感参数及其测试方案。开发研制了ADC辐射效应动态参数测试系统,以DSP+FPGA的系统结构完成ADC辐射效应的测试。选取ADI公司的24位模数转换器AD7710作为辐射试验样品,利用该系统测试获得该芯片在γ总剂量辐照环境和中子辐照环境下的电学参数变化数据,根据试验数据对该芯片的抗辐照损伤能力下初步结论。   本课题的研究得到了大量有价值的数据,对以后的研究工作初步奠定了基础。
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