基于智能反射表面的无线通信系统物理层安全研究

来源 :东南大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhangtingzhi2009
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在现代社会,材料化学中新分子探索已经成为热门话题,而材料创新是许多近期技术进步的关键驱动力。化学和材料科学领域的研究一直在不断发展,以开发出具有新颖用途、更低成本和更好性能的化合物。本文围绕基于深度学习的分子图生成对分子生成及目标优化任务展开研究,着力于提高生成分子和目标优化的性能。本文的主要工作如下:首先,分析了分子的两种表示形式:文本表示法和图表示法,对比讨论了它们的机制、特点以及优缺点。介绍
近阈值下时钟树设计包括拓扑设计和缓冲器插入。在近阈值下,由于晶体管延迟及其波动相比常电压显著增加,为了获得更高性能的时钟树,其拓扑设计通常采用对称时钟树结构。而缓冲器的插入设计成为进一步优化时钟树各项指标的关键。目前,相关课题的研究主流的做法是在限定了缓冲器尺寸的前提下,探索插入位置的最优解。而本文认为:限定缓冲器的尺寸后再做缓冲器限制了时钟树各个指标提升的空间,面向缓冲器库的联合优化缓冲器尺寸和
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基于单光子雪崩光电二极管(Single Photon Avalanche Photodiode,SPAD)的近红外单光子探测技术,逐步向着结构更简单、检测更高效的方向发展,通过降低SPAD的暗计数和后脉冲概率,有效提高了光子探测效率与信息传输的安全性和可靠性。基于窄门控检测的单光子探测技术,利用极短的门控可探测窗口,能够对光子触发的雪崩信号进行快速淬灭,确保SPAD工作的可靠性,能有效提高信息的传
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随着集成电路技术的不断进步,静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)在片上系统(System on Chip,So C)中的作用越来越重要。灵敏放大器(Sense Amplifier,SA)具有检测小信号摆幅并实现快速放大的功能,使其成为了SRAM中不可或缺的组成部分之一,并且对SRAM的性能、功耗具有重要影响。低电压下,出现单端读出结构的存储单元,差