掺杂氢化纳米硅薄膜的物理性质及应用研究

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氢化纲米硅薄膜属于自然量子点系统,它具有低维半导体的一些特征.它之所以引起研究者相当大的兴趣是因为它与相应的非晶材料相比具有很多内在的优点.许多报道过的有趣的结果表明氢化纳米硅具有极大发展潜力的光电特性.在该毕业论文中,我们主要讨论掺杂氢化纳米硅薄膜的微观结构和光电特性以及相关的器件应用.两类样品被选中作为我们的研究对象:一类是有不同磷(P)含量的n型氢化纳米硅,另一类是掺硼(B)比固定,氢稀释比[△<,H>=H<,2>/(H<,2>+SiH<,4>)]不同的p型氢化纳米硅.借助于X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM),拉曼散射(Raman scattering),高分辨率透射电镜(HRTEM),选区电子衍射(SAED),光学透射(optical transmission),变温暗电导(temperature-dependent dark conductivity),弹性反冲分析(ERDA)以及变磁场霍耳效应(magnetic-field-dependent Hall effect)实验.
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