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目的:通过实验观察脑缺血后大鼠大脑缺血区域的Nogo-A和Ng R蛋白表达情况,来判断针刺对脑缺血后轴突再生的影响,进而探究脑缺血轴突再生机制,为电针治疗脑血管疾病的临床应用提供理论与实验依据。材料与方法:30只健康成年的Sprague-Dawley大鼠,雄性,体重260±40g。采用随机数字表法,将大鼠随机分为假手术组和模型复制组,每组大鼠分别为6只、24只。模型复制组采用改良的longa法制备右侧大脑中动脉闭塞(middle cerebral artery occlusion,MCAO)模型。假手术组大鼠采用与模型复制组相同的捆绑方式,但不造模。将MCAO复制成功的实验大鼠,随机分为电针组和缺血组,每组6只大鼠。选用“百会”、“印堂”和双侧“足三里”穴,采用电针对电针组缺血再灌注损伤后的大鼠进行干预,日一次,连续治疗两周,假手术组和缺血组每日仅捆绑,不进行电针干预。两周后,统一对实验大鼠采用Longa模型评价标准,神经功能缺损进行评估,采用垂直网屏试验对大鼠行为学指标进行检测。实验结束后,将大鼠断髓处死,用免疫印记(Western blot)、免疫组化检测法检测大鼠脑缺血组织的Nogo-A和Ng R蛋白的表达。用免疫荧光观察各组脑缺血区域标记物Nogo-A和Ng R蛋白共染情况。结果:1.脑缺血再灌注后72h神经功能评分:神经功能评分显示,模型复制组大鼠神经功能损伤较假手术组显著(P<0.01),经过14天电针治疗,电针组大鼠的神经功能评分低于缺血组(P<0.01),电针组与假手术组神经功能损伤评分无统计学差异(P>0.05)2.脑缺血再灌注后各组大鼠行为学检测:与假手术组比较,缺血组大鼠在垂直网屏停留时间明显降低(P<0.05);与缺血组比较,电针组在垂直网屏停留时间要高于缺血组(P<0.05)。3.western blot结果表明,缺血组大鼠脑缺血区内Nogo-A及Ng R表达量高于假手术组(P<0.05);电针组大鼠脑缺血区内Nogo-A及Ng R表达量低于缺血组(P<0.05)。4.免疫组化结果表明,与假手术组相比,缺血组Nogo-A及Ng R阳性细胞数表达显著升高(P<0.05);电针组的Nogo-A及Ng R阳性细胞数表达与缺血组相比明显下调(P<0.05)。5.免疫荧光结果显示,与假手术组比较,缺血组Nogo-A及Ng R免疫荧光强度比假手术组明显增高(P<0.05);电针组Nogo-A及Ng R免疫荧光强度比缺血组明显减少(P<0.05)。结论:1.电针刺激“印堂”、“百会”、“足三里”穴可以显著改善脑缺血再灌注损伤大鼠的神经功能缺损程度。2.通过电针刺激百会、印堂、足三里穴可以改善大鼠的行为学能力。3.电针刺激百会、印堂、足三里穴通过下调Nogo-A和Ng R的表达,抑制神经细胞凋亡,避免神经受到进一步损伤,来发挥保护神经功能修复与再生的作用。