半导体工业的超速发展推动着新技术、新材料的不断进步,高介电常数材料的应用为解决当前半导体器件尺寸缩小极限的问题提供了可能性,因此受到了人们的广泛关注。前人研究发现,Nb和Fe共掺杂BaTiO3材料(BaTi1-x(Fe0.5Nb0.5)xO3,记为BTFN)具有相当高的介电常数,但介电损耗也偏高。一般认为,该材料具有核导电而壳绝缘的“核一壳”结构因而导致高介电常数。然而,二价铁和三价铁在核和壳中的共存不仅使核有导电性也使壳有一定导电性,这就导致了偏高的介电损耗。为探索降低BTFN材料介电损耗的途径,本论文进行了如下三部分研究:1.用浸渍法以及沉淀法将氧化铝包裹在BTFN材料的表面,考查了包裹量对材料介电性能、晶相结构、表面形貌和组成的影响。结果表明,所制材料均为立方晶系钙钛矿结构,SEM分析表明氧化铝有抑制晶粒生长的作用,并且在一定程度上抑制表面钛富集,包裹后提高了 BTFN材料在高温区域的介电常数,但介电损耗也随之增大,这主要起因于极化损耗。2.用掩埋法将氧化铝包裹在BTFN材料的表面,考查了包裹量对材料介电性能、晶相结构、表面形貌和组成的影响。结果表明,所制材料均为立方晶系钙钛矿结构,当烧结温度在750℃-950℃时,掩埋法包裹氧化铝的材料在保持了介电损耗值的同时提高了介电常数。3.用双氧水氧化BTFN材料,考查了氧化时间对材料介电性能、晶相结构和表面形貌和组成的影响。结果表明,适度氧化能明显降低材料表面二价铁含量,因而明显降低介电损耗,但也降低了介电常数。