近年来,主流无线局域网市场表现出了多种无线标准共存的局面(802.11a/b/g),无线网络设备要求能够兼容所有的工作模式。随着成本的降低和各个供应商之间的激烈竞争,采用多套独立系统来实现对多标准兼容的方法已经变得过时,市场对多频段收发机的需求显得愈发明显。作为降低成本的有效解决方案,无线局域网领域的多频段技术越来越引起人们的注意。同时,CMOS技术作为一种IC主流的工艺,随着线条尺寸的减小,其高频特性不断取得突破,甚至达到了100 GHz。本文就多频段无线局域网接收机中的关键模块之一——双频段低噪声放大器的设计和采用RF CMOS工艺实现进行了研究。在充分的文献调研基础上,本文取得了以下结果:1.本文首先就低噪声放大器所在的镜像抑制接收机进行了介绍,设计了接收机的链路增益分配。通过级联系统线性度和噪声的公式,推导出了适合无线局域网接收机的低噪声放大器所要达到的性能指标。2.本文在两端口噪声网络模型的基础上加以推导,建立了MOSFET的噪声两端口网络模型,并通过两端口网络模型的噪声匹配条件导出了MOSFET噪声匹配的条件。3.分析了文献所报道的各种电感模型的优缺点后,采用了最新的衬底耦合模型,对低噪声放大器中所需要的片上电感进行建模,给出了参数拟和的方法与步骤,并且与较为常用的双π模型进行仿真对比。4.基于HJTC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种双频段低噪声放大器。通过对几种不同的拓扑结构的比较,选定了隔离度较好的共源共栅结构作为低噪声放大器的主体结构,采用多输入管以及可调输出网络等技术实现双频段切换,文中给出了双频段切换低噪声放大器的详细设计过程。最后本文用HJTC RF CMOS 0.18μm工艺进行试验性流片,并通过on-chip的方式对芯片进行了初步测试。