利用电子的自旋属性传递信息相比电荷属性能够大大减少器件的功耗,因而电子自旋是一种更好的信息载体。自旋霍尔磁电阻的研究能够反映金属产生自旋流的能力,所以复合薄膜的自旋霍尔磁电阻引起了很多研究组的关注。本文通过测量Ta/Cr/YIG和Rh/CoFeB复合薄膜的自旋霍尔磁电阻来分析金属层产生自旋流的能力。Ta/Cr/YIG复合薄膜在100 K时的自旋霍尔磁电阻比率为4.2×104,比之前Ta/YIG或Cr/YIG体系的比率大了一个量级,这意味着自旋霍尔磁电阻的增强是Ta和Cr的共同贡献,Ta、Cr组合可能是更好的自旋流发生器。当Cr层的厚度增加到3 nm和6 nm时,低温下发现自旋霍尔磁电阻的符号发生由正到负的改变,这是反铁磁层Cr和铁磁层YIG之间发生垂直交换耦合作用的结果。此外,反常霍尔电阻的测试表明Ta/Cr/YIG中非磁金属层Cr具有铁磁性。反常霍尔电阻随Cr层厚度的倒数增加而线性增加,表明铁磁性来源于Cr和YIG之间的界面相互作用。在Rh/CoFeB体系中,测量不同厚度Rh的自旋霍尔磁电阻曲线,并通过公式拟合自旋霍尔磁电阻比率变化得到Rh的自旋霍尔角θSH=0.02858,自旋扩散长度λN=3.38856 nm,表明重金属Rh具有较强的自旋流产生能力。此外,当重金属Rh厚度固定而CoFeB厚度改变时,自旋霍尔磁电阻比率在CoFeB厚度为1.5 nm左右取得最大值,这和CoFeB的分流作用以及自旋扩散长度相关。本文的研究获得了重金属Rh的自旋霍尔角,并且Ta/Cr/YIG的自旋霍尔磁电阻表明金属层组合可能是一个更好的自旋流来源,这为自旋流发生器的选择提供了一定的参考。