Gd@C82的制备工艺及性质研究

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本文研究并获得了电弧放电法制备内嵌金属富勒烯Gd@C82的最佳工艺条件:氦气压力0.08MPa,摩尔比Gd:C=1:15-1:20,活化电流200A,活化时间30min以上,反应电流90100A。详细研究并获得了制备烟灰中Gd@C82分离纯化条件和方法:以DMF为溶剂,减压萃取至无色;再以Buckyprep-M柱为色谱柱,甲苯为流动相,流速为10mL/min,采用高效液相色谱分离,Gd@C82保留时间为4050min。研究了滴覆法及真空蒸镀法在富勒烯镀膜中的应用,并首次将旋涂法引入富勒烯镀膜,且取得了较好的结果,最终确定旋涂法及真空蒸镀法可以应用于富勒烯镀膜。研究了液-液界面微环境对富勒烯晶型的影响,并制备了常温下不易稳定存在的简单六方C60晶体,为以后Gd@C82的镀膜研究提供了实验依据。最后使用Dmol3程序计算了C82碳笼和Gd@C82碳笼的一些性质,解释了Gd@C82制备过程中遇到的一些现象,并预测了Gd@C82的一些化学性质。
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