随着核技术的发展，核辐射探测半导体材料在国防建设、医疗卫生等领域都具有着广阔的发展前景。碘化铟晶体有较大的禁带宽度，较高的平均原子序数，较高的电阻率和较大的载流子迁移率-寿命积，以其做探测芯片的探测器具有较高的探测效率和能量分辨率，并且能够在室温下进行保存和使用，因此成为近年来重点研究的室温核探测材料之一。本研究主要基于第一性原理的Materials Studio软件计算理想碘化铟的电子结构和光学特性，探讨碘化铟多晶的合成工艺，并对碘化铟多晶的组分、结构与半导体性能进行研究。首先，采用Materials Studio软件对理想碘化铟晶体的禁带宽度、态密度及差分电荷密度等电子结构和晶体的介电函数、吸收谱、能量损失谱、折射率等光学性质进行计算，获得碘化铟晶体相关的物理性能。其次，通过充分分析碘和铟及其合成产物的物化性质和碘-铟化合反应相图，获得碘化铟多晶的合成温度、原料配比等制备工艺参数，利用两温区水平气相输运法合成碘化铟多晶，合成的样品送到美国伊利诺伊理工大学进行区熔提纯和单晶生长。最后，通过辉光质谱仪、扫描电镜-能量色散谱、X射线衍射光谱、紫外-可见吸收光谱和四探针电阻率测试系统等测试手段，对碘化铟晶体进行微结构及组分、物相、吸收谱及禁带宽度、电阻率等参数测试。