无线通讯技术与人们的日常生活息息相关,其应用领域也是越来越广泛。不论是个人还是国家,对于高性能的微波集成电路都有着很大需求。本文对X波段MMIC低噪声放大器的电路进行了研究和设计,主要包括以下内容:MMIC低噪声放大器的背景调研,低噪声放大器设计参数介绍,相关器件模型建立和工艺分析,最后详细介绍该放大器的设计过程。论文选用了台湾稳懋半导体公司的0.15um GaAs Low Noise pHEMT工艺线,使用ADS软件仿真设计了一个工作频率在8~12GHz波段的MMIC低噪声放大器。本论文设计的低噪声放大芯片的拓扑结构为三级放大器级联的结构。第一级采用源端负反馈技术和衰减电路,从而提高晶体管的稳定性;该级放大器对系统噪声贡献最大,因此设计时主要针对噪声进行设计,输入端采用了最小噪声系数匹配。第二级因为第一级设计增益不够高,因此也主要针对噪声做匹配。由于增益随频率升高呈下降趋势,而且第三级电路噪声几乎不对系统有影响。所以第三级为补偿增益采用了负反馈结构,目的是改善系统的增益平坦度。每一级根据不同的指标要求分别对管芯及其匹配电路进行设计,同时为便于级联,将各级的输入输出匹配到50欧姆,然后再进行三级的级联以及电路的优化设计。最后制作版图,反复进行Momentum电磁仿真,调整版图设计以达到最佳仿真效果。最终设计实现的X波段MMIC低噪声放大器在8~12GHz内有良好的性能,主要指标为:整体噪声系数小于1.2dB,总增益大于20dB,工作频率内增益平坦度小于±1.5dB,输入输出驻波比小于2.0,都满足了预期的设计目标。