磁性薄膜材料广泛应用于磁存储器中,但随着磁盘存储密度以每年100%左右的速度增长,传统铁磁体薄膜存储器问题也逐渐突出。而反铁磁材料能够很好的解决这一问题。反铁磁自旋电子材料及器件的研究才刚刚起步,相关报道较少,在制备工艺和应用上依然有很多问题需要解决。前人预测四种薄膜具有反铁磁性,但未能制备过薄膜状以及反铁磁性的V-Ga,Cr-Fe-Si,Cr-Mn-Si合金。本文的重点是通过控制沉积速率、厚度、温度等参数,在硅基上制备四个系列的反铁磁薄膜,并研究薄膜成分、结晶度、形貌、磁学性质和电学性质。本文研究成果主要包括以下四个方面:（1）V₃Ga薄膜制备。从理论上预测并通过实验制备了β-W型结构的亚稳相V₃Ga,发现其具有良好结晶性。磁特性和磁阻特性进一步表明,β-W型V₃Ga具有高的奈尔温度的反铁磁性,这与理论预测一致。实验和理论都表明,V₃Ga为高导电半导体,具有0.12-0.16 eV窄带隙。此外,计算预测了制备的V₃Ga/Fe界面处的强垂直磁各向异性,这是由于在界面处的V原子d和Fe原子d轨道状态之间的强杂化现象所致。（2）Cr_3-xFe_x（Mn_x）Si薄膜制备,获得目标样品Cr₂FeSi和CrMn₂Si。测试证明两种薄膜均为反铁磁性。其磁电阻不随磁场环境而变化,较稳定。实验还表明Cr₂FeSi具有特殊的热电阻性质,而CrMn₂Si呈现半导体性质,且奈尔温度高于常温。此外,Cr₂FeSi/Fe具有一定的垂直磁各向异性,而CrMn₂Si/Fe存在强垂直磁各向异性。（3）Mn_3-xNi_xGa薄膜制备。在前人的预测基础上,制备大量的Mn-Ni-Ga系列合金,虽然由于实验条件未能获得Mn_2.4Ni_0.6Ga这个样品,但摸清了薄膜的工艺参数。推测Mn-Ni-Ga系列合金的磁性来源于某几种物质,并在Mn_3-xNi_xGa（0¹）内,存在某一比例呈现反铁磁性。综上所述,制备出若干新型Heusler结构反铁磁材料,确认其制备工艺,并通过多种手段确认薄膜的磁学及电学性质,这些材料均具有相当广阔的应用前景,同时为他人制备类似的样品提供参考。