ZnO是一种直接带隙的宽禁带化合物半导体材料,其室温下禁带宽度约为3.37 eV。室温下ZnO的激子束缚能为60 meV,这远高于室温下26 meV的热离化能,使得ZnO中的激子能够在室温下稳定存在,因此,ZnO是一种制备室温下或更高温度下低阈值的半导体激光器的理想材料。此外,ZnO薄膜还广泛应用于制备光探测器、透明电极、表面声波器件、气敏器件等。而高质量ZnO薄膜的制备对于实现以上的这些应用具有重要意义。本文利用化学气相传输法对制备高质量ZnO薄膜进行了探索性研究,应用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和光致发光谱等测试仪器和手段对生长样品的晶体结构、表面形貌和光学性质进行了表征。具体研究内容如下:(1)为了研究化学气相传输法生长高质量ZnO薄膜的最佳温度,以Si(100)为衬底,在衬底温度分别为400℃、600℃和800℃时生长了ZnO样品。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜对所制备的ZnO样品的结构和表面形貌进行了研究。结果表明,衬底温度对化学气相传输法制备的ZnO的晶体质量有着显著地影响作用,在我们的实验中制备ZnO薄膜的最佳衬底温度为600℃。(2)采用化学气相传输法,分别在石英玻璃、Si(100)和蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜,通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和光致发光谱等测试仪器和手段对样品的结构、表面形貌和光学性质进行了表征。扫描电子显微镜和X射线衍射谱的结果表明不同衬底上制备的ZnO薄膜的结晶性质差异较大。在蓝宝石衬底上制备的ZnO薄膜体现出较好的表面形貌、结构特性和光学性质。