【摘 要】
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本文针对目前黄绿光AlGaInP LED内量子效率低的现状,本文提出在N型波导层与有源层之间插入不对称谐振隧道和超晶格结构,以提高黄绿光AlGaInP LED的内量子效率。本文制作了传
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本文针对目前黄绿光AlGaInP LED内量子效率低的现状,本文提出在N型波导层与有源层之间插入不对称谐振隧道和超晶格结构,以提高黄绿光AlGaInP LED的内量子效率。本文制作了传统常规和特殊结构的黄绿光AlGaInP LED,具体分析黄绿光AlGaInP LED内量子效率低的主要原因,在N型波导层和有源层之间插入超晶格(SLs)和非对称谐振隧道(CART)结构,然后通过分析不同Al组份、不同厚度的CART和SLs结构对黄绿光AlGaInP LED内量子效率影响。对制作出的器件进行光电测试发现,通过改变CART结构的Al组份对黄绿光AlGaInP LED内量子效率有很大提高。实验结果表明：非掺杂的60%Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P势阱CART结构LED光强提高77%。插入SLs结构的黄绿光AlGaInP LED内量子效率相比常规黄绿光AlGaInP LED几乎没有提高。
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