AlGaInP相关论文
LED作为一种高效发光器件,在固态照明、户外显示、会议投影、军事通信等领域被广泛应用。随着微型显示、微型投影、增强现实（AR）、虚......
采用金属有机化学气相沉积系统外延AlGaInP发光二极管, 制备成面积小于12 mil×12 mil(300 μm×300 μm, 1 mil=25.4 μm)的芯片,......
用真空电子束蒸镀的方法制备氧化铟锡(indiumtin oxide,ITO)薄膜,制作了以300nmITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED。在氮气环境下,......
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通......
采用半导体激光器制备了硅基AlGaInP发光二极管,研究了激光能量密度、重复频率及平台加工速度对加工效果的影响,利用电子显微镜等......
发光二极管(LED)作为新一代绿色照明光源,具有高效、节能、环保、寿命长的优点,在节能减排、低碳发展中发挥了重要作用。现在,四元......
该文针四元系AlGaInP高亮度发光二极管外延材料结构设计、MOCVD材料外延生长及器件制备等方面,开展了一系列研究工作.全文共分六章......
该论文的主要研究内容为拓展InGaAs/GaAs量子阱的波谱范围和提高AlGaInP/GaAs LED器件的发光效率.第一,讨论了1064nm半导体激光器......
用电化学 C- V和 I- V特性分析的方法 ,对 Mg掺杂在 MOCVD生长 Al Ga In P发光二极管 (L ED)的影响进行了研究。通过电化学 C- V分......
报道了通过隧道结将衬底的导电类型从n型转变到p型,从而可以利用n型GaP作为以n型GaAs为衬底的AlGaInP发光二极管的电流扩展层.n型......
在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收,防止激光器过早出现光学灾变损伤(COD),是提高大功率半导体激光器的功率......
在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性.在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流......
期刊
杂质扩散诱导量子阱混杂技术可用于制作腔面非吸收窗口,提高大功率半导体激光器的输出功率。以Zn3As2为扩散源,采用闭管扩散方式,......
In order to resolve the prevailing problems in conventional light-emitting diodes (LEDs), novel high-efficiency tunnelin......
采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的与GaAs衬底匹配（AlxGa1－x）0.51In0.49P外延材料的折射率．实验中测量的反射......
期刊
鉴于双异质结发光二极管(DH-LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al......
本文首先讨论通过渐变方式使异质结处的尖峰消失或减小,从而改善高亮度发光二极管(HB-LED)的器件性能.讨论在实际中用双层突变拟合......
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表......
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表......
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相......
采用有限元法来模拟研究采用透明电极AlGaInP LED出光效率的影响因素和分布情况，并在此基础上对不透明电极进行优化以提高芯片的出......
对AlGaInP-LED微型阵列发光单元的内部自发热机制进行了分析,并通过对具有回型上电极的发光单元的理论分析与计算,得到了其内量子......
对AlGaInP-LED微型阵列发光单元的内部自发热机制进行了分析,并通过对具有回型上电极的发光单元的理论分析与计算,得到了其内量子......
提出利用Au/Au直接键合制作高亮度全方位反光镜（ODR）LED的新工艺。工艺采用Si做转移衬底,氧化铟锡（ITO）做窗口层和缓冲层,在0.35mPa压......
分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸.采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2 μm深6 ......
禁带宽度2.0～2.2 eV的AlGaInP太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的一结子电池,但目前高质量高Al组分的AlGaInP材料制备仍存在......
禁带宽度2.0～2.2 eV的AlGaInP太阳电池是制备五至六结叠层太阳电池必需的一结子电池,但目前高质量高Al组分的AlGaInP材料制备仍存在......
设计和制备了λ＝680nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器. 制得的未镀膜20μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100mW,斜率效率0......
金锡(AuSn)合金作为粘合介质,实现了AlGaInP/Si的异质键合.在室温下键合样品的I-V特性表明AuSn合金对载流子通过界面未见不良影响,......
在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AlGaInP LED 外延片中载流子浓度纵向分布的电解液--0.5 mol......
Micro-LED具有高亮度,低功耗,寿命长,高响应速度等优秀特性,现已成为显示领域的热点,Micro-LED全彩显示屏迎来快速发展期,Ga N基蓝......
重点介绍了670nm LED材料的结构与制备方法，用MOCVD方法生长了较高压应变的670nm多量子阱。分析比较了670nm量子阱室温光荧光谱线宽......
利用带隙经验公式、LCAO方法以及韦加定律，提出了一种计算AlGaInP异质结价带与导带阶跃的方法。该方法具有简便、精确和实用的特点......
文章简述了超高亮度LED技术的发展历程和目前的技术水平，在超高亮度LED技术中所出现的新材料和新的制造工艺以及当前各国的发展水平......
虽然国内的红光半导体激光器早已实现商品化,但研制的红光激光器波长多集中在大于655 nm的红光波段,主要面向数据存储、娱乐指示、......
研究一种表面再构的具有全方位反光镜(ODR)结构的倒装AlGaInP半导体发光二极管(LED)。通过湿法腐蚀方法再构N-AlGaInP盖层表面,形......
本文针对目前黄绿光AlGaInP LED内量子效率低的现状,本文提出在N型波导层与有源层之间插入不对称谐振隧道和超晶格结构,以提高黄绿......
GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点，伴随工业制备技术的日趋成熟，其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.......
采用金属有机化学气相沉积系统外延了具有三个不同反射中心波长的AlAs/Al0.5Ga0.5As复合分布式布拉格反射镜(DBR),利用透射电镜、X......
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本文在n-(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P表面通过电子束蒸发Ni/Au/Ge/Ni/Au叠层金属并优化退火工艺成功制备了具有较低接触电阻的欧姆接......
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统（LP-MOCVD）生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作......
一种新的全方位反射镜(ODR)的高亮度AlGaInP发光二极管制作方法。该反射镜由介质膜DBR和高反射率的金属组成，反射效率比传统的金属......
设计了一种基于AlGaInP发光材料的像素为320×240、单元像素面积为100μm×100μm微型LED阵列。通过仿真和分析,设计了一种双条形......
用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构。分别采用1......
提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺。在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增......
探讨了GaAs基AlGaInP LED的最新研究与进展,介绍了AlGaInP红光LED外延材料的能带结构和基本的外延层结构以及限制外量子效率的问题......
四元系AlGaInP半导体材料具有直接宽带隙，且此材料的发光波段可覆盖从红光到黄绿光的可见波段，所以由AlGaInP半导体材料制成的高亮度......
