在InGaAs/GaAs量子点之间插入AlGaAs间隔层，会对量子点分布产生一定的影响，进而改善器件的性能。通过分子束外延技术生长InGaAs/AlGaAs/GaAs量子点，本文研究了InGaAs/AlGaAs/GaAs量子点的生长工艺主要是从衬底温度，As压大小，退火时间，覆盖层进行研究。实验结果表明：　　（1）生长单周期的InGaAs/AlGaAs/GaAs量子点随退火时间增加，并不会使InGaAs/AlGaAs/GaAs量子点的分布的均匀性出现明显的改善，在退火120s时密度减小。　　（2）生长单周期的InGaAs/AlGaAs/GaAs量子点在As压变化的作用下，可以观察到量子点在高As压下量子点尺寸增大，量子点的密度降低。　　（3）在480℃的生长温度下，生长单周期的InGaAs/AlGaAs/GaAs量子点获得的量子点形貌较好，尺寸均匀，分布密集。　　（4）将GaAs覆盖层覆盖在单周期的InGaAs/AlGaAs/GaAs量子点上，量子点并没有被完全掩盖。没有被完全淹没的量子点由于纵向应力的存在会影响多周期生长过程中下一个周期中量子点的分布，这符合我们今后生长多周期量子点的实验需求。