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作为第一代半导体,硅和锗半导体的研究和应用一直备受关注。除了在以微电子为主的半导体行业的广泛应用外,硅锗合金材料还在热电转换、光电探测、高速逻辑器件等领域发挥着巨大的作用。值得一提的是在热电应用方面,硅锗材料由于优异的综合性能被运用到最前沿的太空探测器的能源转换器件上。其中备受关注的热传导性质尤其是微纳尺度上的传热机理一直是研究的热点。但是对于硅锗合金薄膜的研究却一直局限于低锗含量即锗组分低于50%,主要原因是合金薄膜与衬底(通常为硅)的晶格失配随着锗组分的增加而变大,致使材料的晶体质量下降,影响表征和机理分析。本论文针对SiGe合金薄膜中的声子输运及调控,以Si(100)衬底上外延的一系列高质量的Si1-xGex(0
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