集成电路在摩尔定律的推动下不断的快速发展,该定律要求芯片外接电压降低,尺寸不断减小。开关电源使用二极管进行整流,需达到正向导通压降才能使其导通,该压降使系统的整流损耗增加。当系统工作在大电流低压条件下时,其效率会大幅降低。因此需要降低正向导通压降,目前最有效的方法是使用功率MOSFET代替二极管,MOSFET的低导通阻抗特性可以降低电路的整流损耗,系统效率从而能够得到提升,该技术被称为同步整流（Synchronous Rectification,SR）技术。MOSFET为双向导通的有源器件,二极管为单向导通的无源器件,因此同步整流技术需要设置合适的驱动程序和较大的电流驱动能力来控制功率MOSFET正常工作。本文设计了一种同步整流驱动芯片,其适用于反激变换器（Flyback Converter）,芯片对SR管的漏源电压进行实时负压采样,与同类功能芯片对比,本文改进了同步整流驱动机制,增加SR管栅压提前下拉功能,通过降低SR管栅压来增加导通阻抗,延长SR管的导通时间,因而对应的体二极管续流时间消除,同步整流的效率得到提高,该功能也适用于轻载条件,防止SR管过早关断,另外在连续导通模式（Continuous Conduction Mode,CCM）下,由于SR管关断时栅压已经降低,因此可以快速关断SR管,减缓CCM模式下反激变换器原副边侧穿通,提升同步整流效率。同时设计出SR管电压斜率检测方案,通过检测SR管漏端电压斜率的变化,屏蔽掉断续导通模式（Discontinuous Conduction Mode,DCM）下漏端电压的谐振以及寄生电感、电容造成的Vds扰动,保证同步整流驱动电路的可靠性,此外该电压斜率可以通过外接电阻进行调节或使能,满足不同的电路应用需求。本文首先介绍了同步整流技术的工作原理,分析SR管在损耗方面与二极管的差异,以及SR管选型时对参数的考虑,对比介绍Flyback高低侧接法的优缺点,介绍同步整流驱动主流的轻载检测模式。然后给出本文设计的同步整流驱动芯片的工作原理与架构、相关技术问题的分析以及内部子模块电路设计。电路基于最小线宽为0.35μm的BCD工艺模型完成了电路设计、仿真与版图绘制,并将实验室设计的同类芯片流片后搭载在Flyback变换器系统中进行测试,通过两款芯片的比较证明本文设计的芯片在性能上得到了提升,并加深了同步整流技术的理解,且对测试过程中遇到的问题进行了分析。