808nm半导体功率放大激光器增透膜研究

来源 :长春理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huangli_java
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808nm半导体激光器是以AlGaAs晶体的(110)自然解理面作为谐振腔。本论文采取在半导体激光器芯片的前端面镀增透膜,并在半导体激光放大器的前、后两个腔面镀增透膜,以获得高的阈值增益、降低阈值电流、提高量子效率和激光器的输出功率。采用吸收小,散射少的薄膜材料设计介质膜,使得激光器前腔面的反射率显著降低。镀膜前,LD和SLA的各端面反射率大约为31.947%。为半导体激光器出射端面设计的增透膜为单层三氧化二铝,可以将反射率降低至约为1.607%。为半导体激光放大器设计的增透膜为单层氧化铪,前、后腔面的反射率可以降低至约为0.1%。与此同时,镀制的膜层保护了器件端面,防止氧化和水蒸气的侵蚀。
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