【摘 要】
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Fe-Ga合金作为一种新型巨磁致伸缩材料,强度高、韧性好、饱和磁场低、磁致伸缩系数高、成本低,近年来受到人们的广泛关注。Fe-Ga合金在高频下使用会产生的严重涡流损耗,因此需要制成薄片使用;Fe-Ga合金的磁致伸缩性能具有显著的各向异性,通过二次再结晶来强化η织构是Fe-Ga合金薄带研究的主要内容。目前,添加抑制剂来获得Goss晶粒的二次再结晶,是提高Fe-Ga合金磁致伸缩的主要手段。本实验使用固
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Fe-Ga合金作为一种新型巨磁致伸缩材料,强度高、韧性好、饱和磁场低、磁致伸缩系数高、成本低,近年来受到人们的广泛关注。Fe-Ga合金在高频下使用会产生的严重涡流损耗,因此需要制成薄片使用;Fe-Ga合金的磁致伸缩性能具有显著的各向异性,通过二次再结晶来强化η织构是Fe-Ga合金薄带研究的主要内容。目前,添加抑制剂来获得Goss晶粒的二次再结晶,是提高Fe-Ga合金磁致伸缩的主要手段。本实验使用固有抑制剂Cu2S与获得抑制剂AlN复合的低温板坯加热技术,采用二次冷轧法制备出Fe-Ga合金薄带。研究了轧制成型与退火过程中的组织和织构演变规律,并探索快速退火和渗氮工艺对二次再结晶组织及磁性能的影响规律,主要创新点与结论如下:（1）通过全流工艺控制,在二次冷轧压下率为55%～65%时,获得了初次再结晶强Goss织构退火薄带,归因于合适的变形微结构促进初次再结晶Goss晶粒形成数量和尺寸优势。（2）采用Cu2S+AlN抑制剂,利用快速退火法成功实现Goss晶粒的二次再结晶;并通过调控快速退火工艺来优化Fe-Ga合金的二次再结晶组织与性能。同时,二次冷轧压下率的增加,导致异常长大晶粒尺寸的减少和磁致伸缩性能的恶化,归因于初次再结晶组织与织构特征的差异。（3）渗氮工艺的优化,促进Fe-Ga合金发生二次再结晶;随着渗氮时间的延长,整体抑制力提高,从而限制了快速退火时整体晶粒的长大,因此二次再结晶需要控制抑制剂的数量和分布,并选择合适的退火温度,方可保证Goss晶粒具有显著的长大优势。（4）提出采用快速退火法,获得更高磁致伸缩性能Fe-Ga合金薄带的路径。控制轧制成型与退火工艺以获得更多精准的初次再结晶晶粒,并且优化抑制剂体系和渗氮工艺,保证Goss晶粒的异常长大和基体的充分抑制。
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